[发明专利]双极半导体可控整流器

说明书

在所描述的实例中，高电压双极半导体可控整流器SCR(100)包含：发射极区(102)，其具有第一极性且上覆于具有不同于所述第一极性的第二极性的基极区(104)；集电极区(106、108)，其具有所述第一极性且处于所述基极区(104)之下；阳极区(114、116、120)，其具有所述第二极性；第一沉降区(118)，其具有所述第一极性且接触所述集电极区(106、108)，其中所述阳极区(114、116、120)在所述第一沉降区(118)与所述基极区(104)之间；以及第二沉降区(112)，其具有所述第一极性且接触所述集电极区(106、108、110)，所述第二沉降区(112)处于所述阳极区(114、116、120)与所述基极区(104)之间，其中所述阳极区(114、116、120)的延伸部(120)在所述第二沉降区(112)的部分之下延伸。

技术领域

这大体上涉及一种集成电路设计，且更具体地说，涉及实施用于静电放电保护电路的基于双极的半导体可控整流器。

背景技术

集成电路容易受到来自常见环境源的静电放电的损害，且当受到高于其预期电压供应的电压时可能被毁坏。静电放电(ESD)保护电路用于无害地从ESD事件中释放电流，可硅控整流器(SCR)在小区域内提供有效的解决方案。然而，对于高电压管脚的SCR的设计仍存在问题。缺乏关于用于高压管脚的低泄漏、低电容基于双极的SCR的解决方案。基于非SCR的解决方案效率低下，而现有SCR设计由于穿通问题而遭受高泄漏困扰。

发明内容

在所描述的高电压双极半导体可控整流器(SCR)的实例中，SCR包含：发射极区，其具有第一极性且上覆于具有不同于第一极性的第二极性的基极区；集电极区，其具有第一极性且处于基极区之下；阳极区，其具有第二极性；第一沉降区，其具有第一极性且接触集电极区，其中阳极区在第一沉降区与基极区之间；以及第二沉降区，其具有第一极性且接触集电极区，第二沉降区处于阳极区与基极区之间，其中阳极区的延伸部在第二沉降区的部分之下延伸。

附图说明

图1描绘根据实施例的SCR的截面视图。

图2描绘图1的SCR的电流-电压图。

图3描绘根据实施例的SCR的截面视图。

图4描绘根据实施例的SCR的截面视图。

图5描绘根据实施例的图1的SCR的平面视图。

图6描绘根据实施例的图1的SCR的平面视图。

图7描绘根据实施例的图1的SCR的平面视图。

图8描绘根据实施例的图1的SCR的平面视图。

图9描绘常规的双极SCR的实例实施例。

具体实施方式

在图式中，相似参考指示类似元件。对此描述中的“一”或“一个”实施例的参考未必是参考同一实施例，且此类参考可意指至少一个。另外，如果结合实施例描述特定特征、结构或特性，那么结合其它实施例描述此类特征、结构或特性，无论是否明确描述。

所描述的实例包含SCR，其含有阻隔接合部，以防穿通。通过修改集电极沉降区和在修改的沉降下引入阳极接合部来构造阻隔接合部，以实现SCR动作。修改的沉降可用以改变SCR的触发/维持电流，且构造允许独立修改触发电流，同时维持对来自衬底的PNP注入到抗扰性。