[发明专利]双极半导体可控整流器

权利要求书

1.一种高电压双极半导体可控整流器SCR，其包括：

发射极区，其具有第一极性且上覆于具有不同于所述第一极性的第二极性的基极区；

集电极区，其具有所述第一极性且处于所述基极区之下；

阳极区，其具有所述第二极性；

第一沉降区，其具有所述第一极性且接触所述集电极区，其中所述阳极区在所述第一沉降区与所述基极区之间；以及

第二沉降区，其具有所述第一极性且接触所述集电极区，所述第二沉降区处于所述阳极区与所述基极区之间，其中所述阳极区的延伸部在所述第二沉降区的部分之下延伸。

2.根据权利要求1所述的高电压双极SCR，其进一步包括第一金属化物，所述第一金属化物使所述阳极区与所述第一沉降区连接。

3.根据权利要求2所述的高电压双极SCR，其进一步包括第二金属化物，所述第二金属化物接触所述第二沉降区且具有浮动电压。

4.根据权利要求2所述的高电压双极SCR，其进一步包括接触所述第二沉降区的第二金属化物，其中所述第二金属化物可切换地连接到所述第一金属化物。

5.根据权利要求2所述的高电压双极SCR，其进一步包括浅沟槽隔离，其处于所述阳极区与所述第一沉降区和所述第二沉降区中的每一个之间。

6.根据权利要求2所述的高电压双极SCR，其进一步包括环绕所述高电压双极SCR的深沟槽隔离。

7.根据权利要求6所述的高电压双极SCR，其中所述浅沟槽隔离使所述SCR与所述深沟槽隔离分离。

8.根据权利要求7所述的高电压双极SCR，其中所述浅沟槽隔离使所述第一沉降、所述阳极区和所述基极区与所述深沟槽隔离分离，且所述第二沉降区接触所述深沟槽隔离。

9.根据权利要求6所述的高电压双极SCR，其中所述浅沟槽隔离使所述第一沉降和所述阳极区与所述深沟槽隔离分离，且所述第二沉降区侧向延伸以环绕含有所述发射极区和所述基极区的区。

10.根据权利要求5所述的高电压双极SCR，其中所述第二沉降区侧向延伸以环绕含有所述发射极区和所述基极区的区，所述阳极区侧向延伸以环绕所述第二沉降区且所述第一沉降区侧向延伸以环绕所述阳极区。

11.根据权利要求5所述的高电压双极SCR，其中所述高电压双极SCR在所述深沟槽隔离内多次重复。

12.根据权利要求1所述的高电压双极SCR，其中所述第一极性是n型且所述第二极性是p型。

13.根据权利要求5所述的高电压双极SCR，其中所述高电压双极半导体可控整流器是可硅控整流器。

14.一种高电压双极半导体可控整流器SCR，其包括：

发射极区，其具有第一极性且上覆于具有不同于所述第一极性的第二极性的基极区；

集电极区，其具有所述第一极性且处于所述基极区之下；

外延层，其具有所述第一极性且处于所述集电极区之下；

埋层，其具有所述第一极性且处于所述外延层之下；

阳极区，其具有所述第二极性且包括源极/汲极植入、深阱植入和埋层延伸植入，所述埋层延伸植入接触所述外延层；

第一沉降区，其具有所述第一极性且包括源极/汲极植入、深阱植入和埋层延伸植入，其中所述阳极区在所述第一沉降区与所述基极区之间；以及

第二沉降区，其具有所述第一极性且包括源极/汲极植入和深阱植入，以及埋层延伸植入，其中所述阳极区的所述埋层延伸植入在所述第二沉降区的部分下延伸。