[发明专利]化学气相沉积反应炉中的排气歧管有效
申请号: | 201780027613.6 | 申请日: | 2017-04-05 |
公开(公告)号: | CN109072429B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | C.加勒夫斯基;S.E.萨瓦斯;M.穆基诺维克 | 申请(专利权)人: | 艾克斯特朗欧洲公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;H01J37/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 曲莹 |
地址: | 德国黑*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种用于从喷涂系统(尤其是化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)反应炉)中抽取工艺气体的装置,其包括具有流道的排气歧管(1),其中所述流道包括吸气口(2)、在流动方向(S)上的邻接抽气段(3)、以及在流动方向(S)上布置在抽气室(3)的下游并通入吸气管线(4、4'、4")的真空泵口(20、20',20")的集气段(5),其中吸气口(2)的沿长边方向(L)延伸的长度显著大于沿窄边方向(W)延伸的宽度,并且其中抽气室(3)和集气室(5)由沿长边方向(L)延伸的长侧壁(6、8)和沿窄边方向(W)延伸的窄侧壁(7)限定,该限定方式使得因吸气管线(4、4'、4")中产生的负压而在流道中形成气流。在抽气段(3)和集气段(5)之间的至少一个中间空间(9)中设有阻流结构,该阻流结构在位于两个边缘区域(R)之间的中央区域(Z)中对气流施加的流动阻力比在边缘区域(R)中施加的流动阻力大。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 反应炉 中的 排气 歧管 | ||
【主权项】:
1.一种用于从喷涂系统尤其是化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)反应炉中抽取工艺气体的装置,包括具有流道的排气歧管(1),其中所述流道包括吸气口(2)、在流动方向(S)上的邻接抽气段(3)、以及在流动方向(S)上布置在抽气室(3)的下游并通入吸气管线(4、4'、4")的真空泵口(20、20'、20")的集气段(5),其中吸气口(2)的沿长边方向(L)延伸的长度显著大于沿窄边方向(W)延伸的宽度,并且其中抽气室(3)和集气室(5)由沿长边方向(L)延伸的长侧壁(6、8)和沿窄边方向(W)延伸的窄侧壁(7)限定,该限定方式使得因吸气管线(4、4'、4")中产生的负压而在流道中形成气流,其特征在于,在抽气段(3)和集气段(5)之间的至少一个中间空间(9)中布置有阻流结构,该阻流结构在位于两个边缘区域(R)之间的中间区域(Z)中对气流施加的流动阻力比在边缘区域(R)中施加的流动阻力大。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的