[发明专利]化学气相沉积反应炉中的排气歧管

说明书

本发明提供一种用于从喷涂系统(尤其是化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)反应炉)中抽取工艺气体的装置，其包括具有流道的排气歧管(1)，其中所述流道包括吸气口(2)、在流动方向(S)上的邻接抽气段(3)、以及在流动方向(S)上布置在抽气室(3)的下游并通入吸气管线(4、4'、4)的真空泵口(20、20'，20)的集气段(5)，其中吸气口(2)的沿长边方向(L)延伸的长度显著大于沿窄边方向(W)延伸的宽度，并且其中抽气室(3)和集气室(5)由沿长边方向(L)延伸的长侧壁(6、8)和沿窄边方向(W)延伸的窄侧壁(7)限定，该限定方式使得因吸气管线(4、4'、4)中产生的负压而在流道中形成气流。在抽气段(3)和集气段(5)之间的至少一个中间空间(9)中设有阻流结构，该阻流结构在位于两个边缘区域(R)之间的中央区域(Z)中对气流施加的流动阻力比在边缘区域(R)中施加的流动阻力大。

技术领域

本发明涉及一种用于从喷涂系统(尤其是化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)反应炉)排出工艺气体的装置，包括具有流道的抽气单元，其中所述流道包括吸气口、在流动方向上的邻接抽气段、以及在流动方向上布置在抽气室的下游并通入吸气管线的集气室，其中吸气口的沿长边方向延伸的长度显著大于沿窄边方向延伸的宽度。抽气段和集气段由沿长边方向延伸的长侧壁和沿窄边方向延伸的窄侧壁限定，该限定方式使得因吸气管线中产生的负压而在流道中形成气流。

本发明还涉及一种化学气相沉积(CVD)反应炉，尤其是等离子体CVD反应炉，该CVD反应炉具有电极装置、用于将工艺气体供入工艺室的进气口单元、以及用于从基材表面抽取工艺气体的抽气单元。

背景技术

在专利文献US 8,697,197 B2中说明了一种用于基材的等离子体喷涂的装置。其中所述的装置被本发明的装置进一步改进，该装置具有气密壳体，在该壳体中，基材布置在支架上，该支架在电极装置下方沿输送方向输送。电极装置在其整个宽度上沿基材输送方向的横向延伸，并具有第一间隙，工艺气体通过该间隙供入进气口单元。在电极之间产生第一等离子体，并在电极与基材之间产生第二等离子体。流过两个电极的第一相对侧与基材之间的间隙的工艺气体通过与一个电极的第一侧相反的电极侧的抽气装置排出。相关的排气歧管具有罩状壳体，该壳体具有向基材敞开的吸气口。该吸气口与排气歧管连接，该排气歧管中的气流由吸气管线中的负压产生。

另外，US 2009/0081885 A1、US 6,890,386 B2、US 2014/0205769 A1和US 8,758,512 B2属于现有技术。

上述抽气单元采用具有吸气口的抽气罩的形式，该吸气口具有基本上为矩形的吸气喉部或开口，该吸气喉部或开口的长度显著大于其宽度。该单元具有的特性是，布置在吸气喉部或抽气室的水平截面的纵向中心的中央区域中形成的吸力比位于该中央区域与吸气口或集气室的相应端部之间的边缘区域中形成的吸力大。在抽气单元内由不均匀吸力引起的气流不均导致沉积在基材上的层不均匀。这种汇流可能具有使附着在抽气室或集气室的侧壁上的沉积材料脱离并落到基材上的趋势。这种情况尤其与附着到长侧壁上的硅化合物有关。这种特性导致的后果是，必须按很短的时间间隔清洁抽气室或集气室的壁。

本发明的目的是改进最初说明的用于以有利于使用的方式从CVD反应炉中与基材表面相邻的腔体中抽取工艺气体的装置。

此目的通过在权利要求中限定的发明来实现的。从属权利要求不仅构成等同权利要求的有利的进一步改进，而且还构成所述目的的独立解决方案。