[发明专利]阵列内穿存储器级通孔结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201780026899.6 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN109075190B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | J.于;Z.卢;A.楚;K.山口;小川裕之;D.毛;Y.李;J.阿尔斯梅尔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/792;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，所述半导体结构包括存储器级组件，所述存储器级组件定位在基板上方并且包括至少一个交替堆叠和垂直延伸穿过所述至少一个交替堆叠的存储器堆叠结构。所述至少一个交替堆叠中的每一者包括相应绝缘层和相应导电层的交替层，并且在所述至少一个交替堆叠中的所述导电层中的每一者包括相应的开口，由此使得定位在所述开口中的相应间隔物电介质部分的外围接触所述相应导电层的侧壁。至少一个穿存储器级通孔结构垂直延伸穿过所述间隔物电介质部分和所述绝缘层中的每一者。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 存储器 级通孔 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：存储器级组件，所述存储器级组件定位在基板上方并且包括至少一个交替堆叠和垂直延伸穿过所述至少一个交替堆叠的存储器堆叠结构，其中所述至少一个交替堆叠中的每一者包括相应的绝缘层和相应的导电层的交替层，并且在所述至少一个交替堆叠中的所述导电层中的每一者包括相应的开口，由此使得定位在所述开口中的相应的间隔物电介质部分的外围接触所述相应导电层的侧壁；和至少一个穿存储器级通孔结构，所述至少一个穿存储器级通孔结构垂直延伸穿过所述间隔物电介质部分和所述绝缘层中的每一者。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克科技有限责任公司，未经桑迪士克科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780026899.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于制造半导体纳米结构的平坦的自由接触面的方法
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
