[发明专利]阵列内穿存储器级通孔结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

存储器级组件，所述存储器级组件定位在基板上方并且包括至少一个交替堆叠和垂直延伸穿过所述至少一个交替堆叠的存储器堆叠结构，其中所述至少一个交替堆叠中的每一者包括相应的绝缘层和相应的导电层的交替层，并且在所述至少一个交替堆叠中的所述导电层中的每一者包括相应的开口，由此使得定位在所述开口中的相应的间隔物电介质部分的外围接触所述相应导电层的侧壁；

至少一个穿存储器级通孔结构，所述至少一个穿存储器级通孔结构垂直延伸穿过所述间隔物电介质部分和所述绝缘层中的每一者；和

一对接触沟槽，所述一对接触沟槽包含一对横向伸长的接触通孔结构，其中所述一对接触沟槽垂直延伸穿过所述存储器级组件，沿着第一水平方向横向延伸并且沿着所述第一水平方向基本上彼此共线，其中所述间隔物电介质部分沿着所述第一水平方向定位在所述接触沟槽中的所述一对横向伸长的接触通孔结构之间；

其中所述间隔物电介质部分中的每一者具有一对凹面侧壁，所述一对凹面侧壁与所述一对接触沟槽的最近侧侧壁基本上等距。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述存储器堆叠结构中的每一者穿过导电层，并且不穿过所述间隔物电介质部分中的任何一者；并且

所述至少一个穿存储器级通孔结构至少从包含所述存储器级组件的最顶面的第一水平平面垂直延伸到包含所述存储器级组件的最底面的第二水平平面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述至少一个穿存储器级通孔结构延伸穿过所述相应绝缘层和所述间隔物电介质部分的至少一个交替堆叠。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述存储器堆叠结构由支撑柱区域与所述至少一个穿存储器级通孔结构横向间隔开，所述支撑柱区域横向围绕所述间隔物电介质部分并且包含多个支撑柱结构。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中：

所述支撑柱结构中的每一者和所述存储器堆叠结构中的每一者包括相同的材料层的集，所述相同材料层的集包含存储器膜和垂直半导体层；

至少一个最顶部导电层包括漏极选择栅电极；

至少一个最底部导电层包括源极选择栅电极；并且

定位在所述至少一个最顶部导电层和所述至少一个最底部导电层之间的所述导电层包括用于三维NAND存储器器件的控制栅电极。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括多个横向伸长的接触通孔结构，所述多个横向伸长的接触通孔结构垂直延伸穿过所述存储器级组件、沿着第一水平方向横向延伸并且将所述至少一个交替堆叠横向划分为多个横向间隔开的块，其中所述间隔物电介质部分定位在一对横向伸长的接触通孔结构之间。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中所述存储器堆叠结构包括存储器堆叠结构的第一子集和存储器堆叠结构的第二子集，所述存储器堆叠结构的第一子集和所述存储器堆叠结构的第二子集定位在所述一对横向伸长的接触通孔结构之间并且沿着所述第一水平方向彼此间隔开，其中所述间隔物电介质部分定位在所述存储器堆叠结构的第一子集和所述存储器堆叠结构的第二子集之间。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，还包括一对漏极选择级浅沟槽隔离结构，所述一对漏极选择级浅沟槽隔离结构沿着所述第一水平方向延伸，并且连同所述相应的绝缘层和所述间隔物电介质部分的至少一个交替堆叠将漏极选择级导电层划分为三个物理上分开的部分，其中定位在与所述一对漏极选择级浅沟槽隔离结构相同级处的间隔物电介质部分接触所述一对漏极选择级浅沟槽隔离结构的侧壁。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中位于所述间隔物电介质部分之下的附加间隔物电介质部分沿着垂直于所述第一水平方向的第二水平方向具有比所述间隔物电介质部分更小的横向范围。