[发明专利]半导体装置

摘要

具有在相邻的栅沟槽部间的台区设置n+型的积累区的情况。积累区例如通过离子注入而形成。如果在离子注入时使用的掩模的端部塌边，则有无法在台区的预定的深度形成积累区的问题。提供一种半导体装置，具备：设置于半导体基板的周边部的边缘终端部；以及被边缘终端部包围的有源部，有源部具有：沿着预定的排列方向排列的多个栅沟槽部；设置于多个栅沟槽部中的与所述边缘终端部最靠近的栅沟槽部与边缘终端部之间的多个虚设沟槽部；位于多个虚设沟槽部的各个沟槽部之间的台区；以及设置于台区的至少一部分的第一导电型的积累区。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：边缘终端部，其设置于半导体基板的周边部；以及有源部，其被所述边缘终端部包围，所述有源部具有：多个栅沟槽部，其沿着预定的排列方向排列；多个虚设沟槽部，其设置于所述多个栅沟槽部中的与所述边缘终端部最靠近的栅沟槽部与所述边缘终端部之间；台区，其位于所述多个虚设沟槽部的各个沟槽部之间；以及第一导电型的积累区，其设置于所述台区的至少一部分。