[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

边缘终端部，其设置于半导体基板的周边部；以及

有源部，其被所述边缘终端部包围，

所述有源部具有：

多个栅沟槽部，其沿着预定的排列方向排列；

多个虚设沟槽部，其设置于所述多个栅沟槽部中的与所述边缘终端部最靠近的栅沟槽部与所述边缘终端部之间；

台区，其位于所述多个虚设沟槽部的各个沟槽部之间；以及

第一导电型的积累区，其设置于所述台区的至少一部分，

所述有源部具有混合沟槽区，所述混合沟槽区是将所述多个虚设沟槽部中的虚设沟槽部与所述多个栅沟槽部中的栅沟槽部沿所述排列方向交替地设置而成，

所述混合沟槽区在从所述半导体基板的正面朝向背面的深度方向上依次具有第二导电型的基区、所述积累区和第一导电型的漂移区，

在所述深度方向上，所述积累区与所述漂移区相接。

2.如权利要求1所记载的半导体装置，其特征在于，

所述有源部在位于所述多个虚设沟槽部之间的所述台区的正面还具有第二导电型的接触区。

3.如权利要求1所记载的半导体装置，其特征在于，

所述有源部在位于所述多个虚设沟槽部之间的所述台区中的至少一个所述台区不具有所述积累区。

4.如权利要求2所记载的半导体装置，其特征在于，

所述有源部在位于所述多个虚设沟槽部之间的所述台区中的至少一个所述台区不具有所述积累区。

5.如权利要求1至4任一项所记载的半导体装置，其特征在于，

所述有源部还具有第二导电型的阱区，所述阱区覆盖所述多个虚设沟槽部中的2个以上虚设沟槽部的底部。

6.如权利要求5所记载的半导体装置，其特征在于，

所述有源部在所述阱区与包含所述积累区的所述台区之间，具有不包含所述积累区的所述台区。

7.如权利要求5所记载的半导体装置，其特征在于，

所述有源部还具有：

第一导电型的漂移区，其浓度比所述积累区的浓度低；

第二导电型的集电区，其位于比所述漂移区更靠下方的位置；以及

第一导电型的反型半导体区，其位于与所述多个虚设沟槽部的正下方的所述漂移区相比更靠下方的位置，反型半导体区的浓度比所述漂移区的浓度高。

8.如权利要求6所记载的半导体装置，其特征在于，

所述有源部还具有：

第一导电型的漂移区，其浓度比所述积累区的浓度低；

第二导电型的集电区，其位于比所述漂移区更靠下方的位置；以及

第一导电型的反型半导体区，其位于与所述多个虚设沟槽部的正下方的所述漂移区相比更靠下方的位置，反型半导体区的浓度比所述漂移区的浓度高。

9.如权利要求7所记载的半导体装置，其特征在于，

所述反型半导体区在所述排列方向上被设置为从所述阱区的内侧端部到设有所述积累区的所述台区的外侧端部为止。

10.如权利要求8所记载的半导体装置，其特征在于，

所述反型半导体区在所述排列方向上被设置为从所述阱区的内侧端部到设有所述积累区的所述台区的外侧端部为止。

11.如权利要求7所记载的半导体装置，其特征在于，

所述反型半导体区在所述排列方向上被设置为从所述阱区的外侧端部到设有所述积累区的所述台区的外侧端部为止。

12.如权利要求8所记载的半导体装置，其特征在于，

所述反型半导体区在所述排列方向上被设置为从所述阱区的外侧端部到设有所述积累区的所述台区的外侧端部为止。