[发明专利]封装电路系统结构有效
申请号: | 201780018932.0 | 申请日: | 2017-03-15 |
公开(公告)号: | CN109075155B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 海基·库斯玛 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L21/60;B81C1/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;杨林森 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种封装电路系统结构,具有嵌入到体材料(322)中的电路元件(301,304)。嵌入的电路元件(301,304)中的至少一个形成包括与结构的一侧(324)的信号地电位(350)的电连接和与结构的另一侧的导电层(316)的电连接的双耦接。导电层在未形成双耦接的至少一个嵌入的电路元件(304)上方延伸,从而为其提供有效的EMI屏蔽。 | ||
搜索关键词: | 封装 电路 系统 结构 | ||
【主权项】:
1.一种封装电路系统结构,包括:电路层,其包括嵌入体材料中的电路元件;外部连接元件;再分布层,其被配置成选择性地提供在所述电路层的电路元件与所述外部连接元件之间的连接;其中,所述封装电路系统结构具有包括所述外部连接元件的第一侧;所述再分布层提供与信号地电位的电连接,其特征在于:在所述封装电路系统结构的第二侧的导电层,其中,所述第二侧与所述第一侧相对,以及嵌入的所述电路元件中的至少一个形成包括与所述信号地电位的电连接和与所述导电层的电连接的双耦接;所述导电层在未形成双耦接的至少一个嵌入的电路元件上方延伸。
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