[发明专利]封装电路系统结构

权利要求书

1.一种封装电路系统结构，包括：

电路层，其包括嵌入体材料中的嵌入的电路元件；

外部连接元件；

再分布层，其被配置成选择性地提供在所述电路层的电路元件与所述外部连接元件之间的连接；其中，

所述封装电路系统结构具有包括所述外部连接元件的第一侧；

所述再分布层提供与信号地电位的电连接，

所述封装电路系统结构包括在所述封装电路系统结构的第二侧的导电层，其中，所述第二侧与所述第一侧相对，

所述封装电路系统结构的在所述第一侧与所述第二侧之间的侧面为所述体材料；

所述嵌入的电路元件至少包括嵌入的集成电路管芯和嵌入的微机电系统管芯；

所述嵌入的集成电路管芯包括衬底部分和表面部分；

所述嵌入的集成电路管芯的所述衬底部分与所述电路层的定向为朝向所述第二侧的表面对准，并且因此暴露于所述导电层并与所述导电层电接触；

所述嵌入的集成电路管芯的所述表面部分暴露于所述再分布层并与所述再分布层接触；

所述嵌入的集成电路管芯的所述表面部分包括与所述集成电路管芯的所述衬底部分和所述信号地电位电接触的接触焊盘，

所述嵌入的集成电路管芯的所述衬底部分形成将所述导电层与所述信号地电位电连接的连接路径；

所述连接路径的电阻在20欧姆与1k欧姆之间；

所述导电层在所述第二侧在所述嵌入的微机电系统管芯上方延伸；

所述嵌入的微机电系统管芯不与所述导电层电接触。

2.根据权利要求1所述的封装电路系统结构，其特征在于，所述导电层是金属层。

3.根据权利要求2所述的封装电路系统结构，其特征在于，所述金属层包括不同金属的子层。

4.根据权利要求1、2或3所述的封装电路系统结构，其特征在于，所述嵌入的微机电系统管芯的所述衬底部分与所述导电层的电连接是欧姆接触或肖特基势垒接触。

5.根据权利要求1、2或3所述的封装电路系统结构，其特征在于，所述信号地电位是所述封装电路系统结构的所有信号的地电位。

6.根据权利要求1、2或3所述的封装电路系统结构，其特征在于，所述封装电路系统结构的在所述第一侧和所述第二侧之间的外表面不包括在所述导电层和所述再分布层之间创建导电路径的导电部分。

7.一种制造封装电路系统结构的方法，所述方法包括：

制造包括嵌入体材料中的电路元件的电路层，所述电路元件包括嵌入的集成电路管芯和嵌入的微机电系统管芯，其中所述嵌入的集成电路管芯包括衬底部分和表面部分；

在所述电路层上制造再分布层，所述再分布层包括用于与信号地电位的电连接的接触区域和布线；

在所述再分布层上制造外部连接元件，所述再分布层选择性地提供在所述电路层的电路元件和所述外部连接元件之间的连接，包括所述外部连接元件的一侧是所述封装电路系统结构的第一侧；

从与所述第一侧相对的第二侧减薄所述体材料，使得所述嵌入的集成电路管芯露出；

在所述封装电路系统结构的减薄的第二侧制造导电层；其中所述方法包括：

在所述嵌入的集成电路管芯的所述表面部分中包括与所述集成电路管芯的所述衬底部分电接触并且与所述信号地电位电接触的接触焊盘，由此，所述嵌入的集成电路管芯的所述衬底部分形成将所述信号地电位与所述导电层电连接的连接路径，使得所述连接路径的电阻在20欧姆与1k欧姆之间；

在不与所述导电层电接触的所述嵌入的微机电系统管芯上方延伸所述导电层。