[发明专利]用于金属氧化物压敏电阻器的基底金属电极在审
| 申请号： | 201780018411.5 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN109275339A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 刘树英;雷鸣;陈国良;隋友群 | 申请（专利权）人： | 东莞令特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/12 | 分类号： | H01C7/12;H01C1/142 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 523925 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种MOV设备包括MOV芯片、设置在MOV芯片的第一侧上的第一基底金属电极、以及设置在与第一侧相对的MOV芯片的第二侧上的第二基底金属电极，第一基底金属电极和第二基底金属电极中的每一个包括第一基底金属电极层和第二基底金属电极层，第一基底金属电极层设置在MOV芯片的表面上并由银、铜和铝中的一种形成，第一基底金属电极层具有2‑200微米范围内的厚度，第二基底金属电极层设置在第一基底金属电极层的表面上并由银、铜和铝中的一种形成，第二基底金属电极层具有2‑200微米范围内的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 基底金属电极 芯片 金属氧化物压敏电阻器 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物压敏变阻器MOV设备，包括：MOV芯片；第一基底金属电极，设置在所述MOV芯片的第一侧上；以及第二基底金属电极，设置在所述MOV芯片的与所述第一侧相对的第二侧上；所述第一基底金属电极和所述第二基底金属电极中的每一个包括：第一基底金属电极层，设置在所述MOV芯片的表面上并且由银、铜和铝中的一种形成，所述第一基底金属电极层具有2‑200微米范围内的厚度；以及第二基底金属电极层，设置在所述第一基底金属电极层的表面上并且由银、铜和铝中的一种形成，所述第二基底金属电极层具有2‑200微米范围内的厚度。
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