[发明专利]用于金属氧化物压敏电阻器的基底金属电极

说明书

一种MOV设备包括MOV芯片、设置在MOV芯片的第一侧上的第一基底金属电极、以及设置在与第一侧相对的MOV芯片的第二侧上的第二基底金属电极，第一基底金属电极和第二基底金属电极中的每一个包括第一基底金属电极层和第二基底金属电极层，第一基底金属电极层设置在MOV芯片的表面上并由银、铜和铝中的一种形成，第一基底金属电极层具有2‑200微米范围内的厚度，第二基底金属电极层设置在第一基底金属电极层的表面上并由银、铜和铝中的一种形成，第二基底金属电极层具有2‑200微米范围内的厚度。

技术领域

本公开一般而言涉及电压抑制设备领域，并且更具体地涉及用于金属氧化物压敏电阻器的低成本电极及其制造方法。

背景技术

金属氧化物压敏电阻器(MOV)是电压相关的非线性设备，其通常在电子电路中采用以提供瞬态电压抑制。典型的MOV设备包括金属氧化物陶瓷芯片(MOV)，其具有设置在其相对侧上的基底金属电极。电引线可以连接(例如，焊接)到基底金属电极，用于促进MOV设备在电路内的电连接。

MOV设备的基底金属电极传统上由印刷在金属氧化物陶瓷芯片的表面上的银浆形成。在印刷之后，烧制基底金属电极，由此使银浆硬化并牢固地粘附到金属氧化物压敏变阻器芯片上。由于银的高成本，因此基底金属电极层通常是MOV设备中最昂贵的部件，并且因此是对MOV设备的总生产成本贡献最大的部件。

MOV设备的市场是高成本驱动的。因此，MOV设备的制造商努力使生产成本最小化，以便以具有竞争力的价格提供产品。正是关于这些和其它考虑因素，本发明的改进会是有用的。

发明内容

提供本发明内容是为了以简化的形式介绍一些概念，这些概念将在下面的具体实施方式中进一步描述。本发明内容不旨在识别所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在帮助确定所要求保护的主题的范围。

根据本公开的示例性实施例的MOV设备可以包括MOV芯片、设置在MOV芯片的第一侧上的第一基底金属电极、以及设置在与第一侧相对的MOV芯片的第二侧上的第二基底金属电极，第一基底金属电极和第二基底金属电极中的每一个包括第一基底金属电极层和第二基底金属电极层，第一基底金属电极层设置在MOV芯片的表面上并由银、铜和铝中的一种形成，第一基底金属电极层具有2-200微米范围内的厚度，并且第二基底金属电极层设置在第一基底金属电极层的表面上并由银、铜和铝中的一种形成，第二基底金属电极层具有2-200微米范围内的厚度。

根据本公开的示例性实施例的另一个MOV设备可以包括MOV芯片、设置在MOV芯片的第一侧上的第一基底金属电极、设置在与第一侧相对的MOV芯片的第二侧上的第二基底金属电极，第一基底金属电极和第二基底金属电极中的每一个由铝形成并且具有5-200微米范围内的厚度，并且第一引线和第二引线分别直接连接到第一基底金属电极和第二基底金属电极。

根据本公开的示例性实施例的形成MOV设备的方法可以包括提供MOV芯片、在MOV芯片的相对的第一表面和第二表面上形成第一基底金属电极层，第一基底金属电极层由银、铜和铝中的一种形成并且具有2-200微米范围内的厚度，并在第一基底金属电极层上形成第二基底金属电极层，第二基底金属电极层由银、铜和铝中的一种形成并且具有2-200微米范围内的厚度。

附图说明

图1a是图示根据本公开的示例性实施例的MOV设备的透视图；

图1b是图示制造图1a中所示的MOV设备的示例性方法的流程图；

图2a是图示根据本公开的另一个示例性实施例的MOV设备的透视图；

图2b是图示制造图2a中所示的MOV设备的示例性方法的流程图；

图2c和2d是用于执行图2b中阐述的方法的一部分的替代过程的示意图。

图3a是图示根据本公开的另一个示例性实施例的MOV设备的透视图；