[发明专利]用于金属氧化物压敏电阻器的基底金属电极

权利要求书

1.一种金属氧化物压敏变阻器MOV设备，包括：

MOV芯片；

第一基底金属电极，设置在所述MOV芯片的第一侧上；以及

第二基底金属电极，设置在所述MOV芯片的与所述第一侧相对的第二侧上；

所述第一基底金属电极和所述第二基底金属电极中的每一个包括：

第一基底金属电极层，设置在所述MOV芯片的表面上并且由银、铜和铝中的一种形成，所述第一基底金属电极层具有2-200微米范围内的厚度；以及

第二基底金属电极层，设置在所述第一基底金属电极层的表面上并且由银、铜和铝中的一种形成，所述第二基底金属电极层具有2-200微米范围内的厚度。

2.如权利要求1所述的MOV设备，其中所述第一基底金属电极层中的每一个由银形成并且具有2-10微米范围内的厚度，并且其中所述第二基底金属电极层中的每一个由铜形成并且具有20-200微米范围内的厚度。

3.如权利要求1所述的MOV设备，其中所述第一基底金属电极层中的每一个由铝形成并且具有20-200微米范围内的厚度，并且其中所述第二基底金属电极层中的每一个由铜形成并且具有20-200微米范围内的厚度。

4.如权利要求1所述的MOV设备，其中所述第一基底金属电极层中的每一个由铝形成并且具有2-10微米范围内的厚度，并且其中所述第二基底金属电极层中的每一个由铝形成并且具有20-200微米范围内的厚度，所述第一基底金属电极和所述第二基底金属电极中的每一个还包括设置在第二基底金属电极层的表面上的第三基底金属电极层，其中所述第三基底金属电极层中的每一个由铜形成并且具有20-200微米范围内的厚度。

5.如权利要求1所述的MOV设备，其中所述第一基底金属电极层中的每一个由铝形成、具有5-30微米范围内的厚度，并且具有在所述第一基底金属电极层设置在其上的所述MOV芯片的表面的相应表面积的60-90％范围内的表面积，并且其中所述第二基底金属电极层中的每一个由银形成、具有2-10微米范围内的厚度，并且具有小于所述第二基底金属电极层设置在其上的所述第一基底金属电极层的表面的相应表面积的60％的表面积。

6.如权利要求1所述的MOV设备，其中所述第一基底金属电极层中的每一个由铝形成、具有20-200微米范围内的厚度，并且具有所述第一基底金属电极层设置在其上的所述MOV芯片的表面的相应表面积的60-90％范围内的表面积，并且其中所述第二基底金属电极层中的每一个由银形成、具有2-10微米范围内的厚度，并且具有小于所述第二基底金属电极层设置在其上的所述第一基底金属电极层的表面的相应表面积的60％的表面积。

7.一种金属氧化物压敏变阻器MOV设备，包括：

MOV芯片；

第一基底金属电极，设置在所述MOV芯片的第一侧上；

第二基底金属电极，设置在所述MOV芯片的与所述第一侧相对的第二侧上；

所述第一基底金属电极和所述第二基底金属电极中的每一个都由铝形成并且具有5-200微米范围内的厚度；以及

第一引线和第二引线分别直接连接到所述第一基底金属电极和第二基底金属电极。

8.一种形成金属氧化物压敏变阻器MOV设备的方法，包括：

提供MOV芯片；

在所述所述MOV芯片的相对的第一侧和第二侧上形成第一基底金属电极层，第一基底金属电极层由银、铜和铝中的一种形成并且具有2-200微米范围内的厚度；以及

在所述第一基底金属电极层上形成第二基底金属电极层，所述第二基底金属电极层由银、铜和铝中的一种形成并且具有2-200微米范围内的厚度。

9.如权利要求8所述的方法，其中形成所述第一基底金属电极层包括：在所述MOV芯片的所述第一侧和第二侧上丝网印刷银浆，所述第一基底金属电极层具有2-10微米范围内的厚度，并且其中形成所述第二基底金属电极层中的每一个包括：在所述第一基底金属电极层上电弧喷涂铜，所述第二基底金属电极层具有20-200微米范围内的厚度。