[发明专利]减小通过施加磁场由磁性材料导致的磁性传感器部件的改变有效
| 申请号： | 201780014094.X | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108886559B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | A·M·加百斯;D·W·李 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N1/10 | 分类号： | H04N1/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;王爽 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在描述的示例中，微电子器件(100)包含磁性传感器部件(106)和可磁化结构特征件(110)。可磁化结构特征件(110)的磁矩(112)彼此平行对齐。通过施加磁场形成微电子器件(100)，以使可磁化结构特征件(110)的磁矩(112)与施加的磁场对齐。随后中断施加磁场。在施加的磁场中断之后，可磁化结构特征件(110)的磁矩(112)保持彼此平行对齐。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 通过 施加 磁场 磁性材料 导致 磁性 传感器 部件 改变 | ||
【主权项】：
1.一种微电子器件，其包括：衬底；磁性传感器部件；以及包含可磁化材料的可磁化结构特征件，其与所述磁性传感器部件分离，每个可磁化结构特征件具有磁矩，其中所述可磁化结构特征件的所述磁矩彼此平行对齐。
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