[发明专利]减小通过施加磁场由磁性材料导致的磁性传感器部件的改变

说明书

在描述的示例中，微电子器件(100)包含磁性传感器部件(106)和可磁化结构特征件(110)。可磁化结构特征件(110)的磁矩(112)彼此平行对齐。通过施加磁场形成微电子器件(100)，以使可磁化结构特征件(110)的磁矩(112)与施加的磁场对齐。随后中断施加磁场。在施加的磁场中断之后，可磁化结构特征件(110)的磁矩(112)保持彼此平行对齐。

技术领域

本发明总体涉及微电子器件，并且更具体地涉及包含磁性传感器部件的微电子器件。

背景技术

磁性传感器部件(例如磁通门磁力计传感器)可以被集成到微电子器件中，用于降低成本和系统尺寸。磁性传感器部件的参数是零场偏移，其可以被理解为在施加的零级磁场处的参数的值。零场偏移已经表现出受到微电子器件的可磁化结构特征件(例如焊盘中的镍层)的密度和接近度的影响。传统的半导体处理技术通常产生随机对齐的可磁化结构特征件，这增加了整体零场偏移的可变性。这可能导致降低磁性传感器的精度和/或额外的校准成本。

发明内容

在描述的示例中，通过施加磁场来形成包含磁性传感器部件和可磁化结构特征件的微电子器件，以使可磁化结构特征件的磁矩与施加的磁场对齐。随后中断施加磁场。在施加的磁场中断之后，可磁化结构特征件的磁矩保持对齐。

附图说明

图1描绘了包含磁性传感器部件和可磁化结构特征件的示例微电子器件。

图2描绘了包含磁性传感器部件的组装在封装件中的示例微电子器件。

图3A和图3B描绘了在对齐可磁化结构特征件的磁矩的示例方法中的微电子器件，该微电子器件包含磁性传感器部件和可磁化结构特征件。

图4A和图4B描绘了估计施加到微电子器件的磁场的期望取向的示例方法，该微电子器件包含磁性传感器部件和可磁化结构特征件。

图5描绘了估计施加到微电子器件的磁场的期望取向的另一示例方法，该微电子器件包含磁性传感器部件和可磁化结构特征件。

图6描绘了将磁场施加到微电子器件的示例方法，该微电子器件包含磁性传感器部件和可磁化结构特征件。

图7描绘了将磁场施加到微电子器件的另一示例方法，该微电子器件包含磁性传感器部件和可磁化结构特征件。

具体实施方式

附图不按比例绘制。一些示出的行为或事件可以以不同的顺序发生和/或与其他行为或事件同时发生。此外，并非所有示出的行为或事件都是需要根据示例实施例来实现方法。

微电子器件包含磁性传感器部件，例如磁通门磁力计传感器、霍尔传感器或磁阻传感器。微电子器件还包含可磁化结构特征件，例如焊盘中的镍层或镍合金层、密封环或封装件引线。可磁化结构特征件具有磁矩，其有助于磁性传感器部件处的磁场。

通过施加磁场、使可磁化结构特征件的磁矩与施加的磁场基本上平行对齐以形成微电子器件。随后中断施加磁场，例如通过从磁场中移除微电子器件或者通过关闭磁场源。在中断施加的磁场之后，可磁化结构特征件的磁矩保持对齐。所施加的用于对齐磁矩的磁场明显强于在微电子器件制造和处理中遇到的杂散场，例如至少10毫特斯拉(mT)。按照一致取向对齐多个类似微电子器件的磁矩可以有利地减少微电子器件的磁性传感器部件的零场偏移的变化。

施加的磁场可以以特定取向被定向，使得可磁化结构特征件的所得磁矩提供磁性传感器部件的期望的低的零场偏移和/或期望的一致的零场偏移。用于产生可磁化结构特征件的期望磁矩的施加的磁场的特定取向可以根据经验和/或通过例如有限元建模的计算被确定。

可以施加磁场，同时微电子器件是包含其他类似器件的半导体晶片的一部分。可替代地，可以在将微电子器件组装在封装件(例如表面贴装封装件)中之后施加磁场。