[发明专利]减小通过施加磁场由磁性材料导致的磁性传感器部件的改变

权利要求书

1.一种使可磁化结构特征件的磁矩对齐的方法，其包括：

将大于杂散磁场的磁场施加到微电子器件的所述可磁化结构特征件达预定的持续时间，以使所述可磁化结构特征件的所述磁矩与所述磁场平行对齐，所述微电子器件是具有其他微电子器件的衬底晶片的一部分，其中所述可磁化结构特征件与所述微电子器件的磁性传感器部件分离，其中所述可磁化结构特征件包括焊盘，并且其中所述磁性传感器部件包括磁通门磁力计芯；以及

在所述预定的持续时间之后中断所述磁场的施加。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述磁场至少是10毫特斯拉即10mT。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述可磁化材料包括镍。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述磁场平行于所述衬底的顶表面取向。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述磁性传感器部件包括磁阻传感器。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述磁场垂直于所述磁性传感器部件的场测量轴取向。

7.根据权利要求1所述的方法，其中使用海尔贝克装置施加所述磁场。

8.根据权利要求1所述的方法，其中使用电流施加所述磁场以产生所述磁场。

9.根据权利要求8所述的方法，其中使用亥姆霍兹线圈施加所述磁场。

10.一种使可磁化结构特征件的磁矩对齐的方法，其包括：

将大于杂散磁场的磁场施加到微电子器件的所述可磁化结构特征件达预定的持续时间，以使所述可磁化结构特征件的所述磁矩与所述磁场平行对齐，所述微电子器件是具有其他微电子器件的衬底晶片的一部分，其中所述可磁化结构特征件与所述微电子器件的磁性传感器部件分离，其中所述可磁化结构特征件包括焊盘，并且其中所述磁性传感器部件包括霍尔板；以及

在所述预定的持续时间之后中断所述磁场的施加。

11.一种估计施加到可交付微电子器件的磁场的期望取向的方法，所述微电子器件包含磁性传感器部件和可磁化结构特征件，所述方法包括：

将大于杂散磁场的第一磁场施加到包括磁性传感器部件和可磁化结构特征件的第一微电子器件达预定的持续时间，以使所述可磁化结构特征件的磁矩与所述第一磁场平行对齐，其中所述第一微电子器件的所述可磁化结构特征件与所述第一微电子器件的所述磁性传感器部件分离；

在所述预定的持续时间之后中断所述第一磁场的施加；

将第二磁场施加到第二微电子器件，所述第二微电子器件包括磁性传感器部件和可磁化结构特征件；

随后测量所述第二微电子器件的所述磁性传感器部件的参数的值；以及

使用所述参数的测量值来估计施加到所述可交付微电子器件的所述磁场的所述期望取向。

12.一种估计施加到微电子器件的磁场的期望取向的方法，所述微电子器件包含磁性传感器部件和可磁化结构特征件，所述方法包括：

将大于杂散磁场的磁场施加到微电子器件的可磁化结构特征件达预定的持续时间，以使所述可磁化结构特征件的磁矩与所述磁场平行对齐，其中所述可磁化结构特征件与所述微电子器件的磁性传感器部件分离；

在所述预定的持续时间之后中断所述磁场的施加；

从计算机可读存储器读取所述微电子器件的磁特性值；

使用所述磁特性值根据所述可磁化结构特征件的所述磁矩的测试取向估计所述磁性传感器部件的参数值；以及

在将所述磁场施加到所述微电子器件之前，使用所述参数的估计值，估计施加到所述微电子器件的所述磁场的期望取向。