[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法

摘要

一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其中，所述R‑T‑B系烧结磁体含有R：28.5～33.0质量％(R为稀土元素中的至少1种，且包含Nd和Pr中的至少1种)、B：0.850～0.910质量％、Ga：0.2～0.7质量％、Cu：0.05～0.50质量％和Al：0.05～0.50质量％，余量为T(T为Fe和Co，T的90质量％以上为Fe)和不可避免的杂质，且满足：式(1)(14[B]/10.8＜[T]/55.85([B]是用质量％表示的B的含量，[T]是用质量％表示的T的含量))，所述R‑T‑B系烧结磁体的制造方法包括如下工序：准备粒径D50和粒径D99满足式(2)(3.8μm≤D50≤5.5μm)和式(3)(D99≤10μm)的合金粉末的工序；将上述合金粉末进行成形而得到成形体的成形工序；将上述成形体进行烧结而得到烧结体的烧结工序；以及，对上述烧结体实施热处理的热处理工序。

主权项

1.一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其中，所述R‑T‑B系烧结磁体含有：R：28.5质量％～33.0质量％，R为稀土元素中的至少1种，且包含Nd和Pr中的至少1种；B：0.850质量％～0.910质量％；Ga：0.2质量％～0.7质量％；Cu：0.05质量％～0.50质量％；Al：0.05质量％～0.50质量％，余量为T和不可避免的杂质，T为Fe和Co，T的90质量％以上为Fe，所述R‑T‑B系烧结磁体满足下述式(1)：14[B]/10.8＜[T]/55.85      (1)[B]是用质量％表示的B的含量，[T]是用质量％表示的T的含量，所述R‑T‑B系烧结磁体的制造方法包括如下工序：准备粒径D50和粒径D99满足下述式(2)和(3)的合金粉末的工序；3.8μm≤D50≤5.5μm    (2)D99≤10μm         (3)将所述合金粉末进行成形而得到成形体的成形工序；将所述成形体进行烧结而得到烧结体的烧结工序；以及对所述烧结体实施热处理的热处理工序。