[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效

专利信息
申请号: 201780013630.4 申请日: 2017-03-10
公开(公告)号: CN108701517B 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 石井伦太郎;佐藤铁兵;国吉太 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;B22F1/00;B22F3/00;B22F3/24;C22C33/02;C22C38/00;H01F41/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 烧结 磁体 制造 方法
【说明书】:

一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法,其中,所述R‑T‑B系烧结磁体含有R:28.5~33.0质量%(R为稀土元素中的至少1种,且包含Nd和Pr中的至少1种)、B:0.850~0.910质量%、Ga:0.2~0.7质量%、Cu:0.05~0.50质量%和Al:0.05~0.50质量%,余量为T(T为Fe和Co,T的90质量%以上为Fe)和不可避免的杂质,且满足:式(1)(14[B]/10.8<[T]/55.85([B]是用质量%表示的B的含量,[T]是用质量%表示的T的含量)),所述R‑T‑B系烧结磁体的制造方法包括如下工序:准备粒径D50和粒径D99满足式(2)(3.8μm≤D50≤5.5μm)和式(3)(D99≤10μm)的合金粉末的工序;将上述合金粉末进行成形而得到成形体的成形工序;将上述成形体进行烧结而得到烧结体的烧结工序;以及,对上述烧结体实施热处理的热处理工序。

技术领域

本申请涉及R-T-B系烧结磁体的制造方法。

背景技术

R-T-B系烧结磁体(R为稀土元素中的至少一种,且包含Nd和Pr中的至少一种;T为过渡金属元素中的至少一种,且必须包含Fe)由主相和位于该主相的晶界部分的晶界相构成,且所述主相由具有R2T14B型晶体结构的化合物形成,所述R-T-B系烧结磁体作为永久磁体之中性能最高的磁体是已知的。

因此,被用于硬盘驱动器的音圈电机(VCM)、电动汽车(EV、HV、PHV)用电机、产业设备用电机等各种电机、家电制品等多种用途。

像这样,随着用途的扩展,例如,电动汽车用电机有时被暴露在100℃~160℃这样的高温下,要求即使在高温下也可稳定工作。

但是,以往的R-T-B系烧结磁体在达到高温时,存在矫顽力HcJ(以下有时简写为“HcJ”)降低、发生不可逆热退磁的问题。在电动汽车用电机中使用R-T-B系烧结磁体的情况下,有可能因高温下的使用而导致HcJ降低,得不到电机的稳定工作。因此,寻求在室温下具有高HcJ、且即使在高温下也具有高HcJ的R-T-B系烧结磁体。

以往,为了提高室温下的HcJ而向R-T-B系烧结磁体中添加了重稀土元素RH(主要是Dy),但存在残留磁通密度Br(以下有时简写为“Br”)降低的问题。进而,Dy出于产地受限等理由而存在有时供给不稳定或价格大幅变动等的问题。因此,寻求使R-T-B系烧结磁体的HcJ提高且尽可能不使用Dy等重稀土元素RH的技术。

作为这样的技术,例如,专利文献1公开了:通过使B量低于通常的R-T-B系合金,且含有选自Al、Ga和Cu中的1种以上金属元素M而生成R2T17相,充分确保以该R2T17相作为原料而生成的富过渡金属相(R-T-Ga相)的体积率,由此得到抑制Dy的含量且矫顽力高的R-T-B系烧结磁体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开第2013/008756号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是,专利文献1中记载的R-T-B系烧结磁体虽然HcJ得以提高,但对于满足近年来的要求而言尚不充分。

因而,本发明的实施方式的目的在于,提供具有高矫顽力HcJ的R-T-B系烧结磁体的制造方法。

用于解决问题的方法

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