[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法

权利要求书

1.一种R-T-B系烧结磁体的制造方法，其中，所述R-T-B系烧结磁体含有：

R：28.5质量％～33.0质量％，R为稀土元素中的至少1种，且包含Nd和Pr中的至少1种；

B：0.870质量％～0.899质量％；

Ga：0.2质量％～0.7质量％；

Cu：0.2质量％以上且小于0.3质量％；

Al：0.05质量％～0.50质量％，

余量为T和不可避免的杂质，T为Fe和Co，T的90质量％以上为Fe，

所述R-T-B系烧结磁体满足下述式(1)：

14[B]/10.8＜[T]/55.85 (1)

[B]是用质量％表示的B的含量，[T]是用质量％表示的T的含量，

所述R-T-B系烧结磁体的制造方法包括如下工序：

准备粒径D₅₀和粒径D₉₉满足下述式(2)和(3)的合金粉末的工序；

3.8μm≤D₅₀≤5.5μm (2)

D₉₉≤10μm (3)

将所述合金粉末进行成形而得到成形体的成形工序；

将所述成形体进行烧结而得到烧结体的烧结工序；以及

对所述烧结体实施热处理的热处理工序。

2.根据权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法，其中，所述R-T-B系烧结磁体中的B为0.890质量％～0.899质量％。

3.根据权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法，其中，所述粒径D₅₀和粒径D₉₉还满足下述式(4)和(5)：

3.8μm≤D₅₀≤4.5μm (4)

D₉₉≤9μm (5)。