[发明专利]具有沟槽的激光棒有效
| 申请号： | 201780013548.1 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN108701967B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·勒夫勒;克莱门斯·菲尔海利希;斯文·格哈德 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李慧 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有半导体层(11)的激光棒(1)，半导体层具有活跃区域(15)和多个层，其中活跃区域(15)布置在xy平面中，其中激光二极管(12)分别在x方向上在两个端面之间形成模式空间(4)，其中激光二极管(12)的模式空间(4)在y方向上并排地布置，其中在两个模式空间(4)之间在半导体层(11)中设置沟槽(3)，其中沟槽(3)在x方向上延伸，并且其中，沟槽(3)从半导体层(11)的上侧在z方向上延伸到在活跃区域(15)的方向上预先给定的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 激光 | ||
【主权项】：
1.一种具有半导体层(11)的激光棒(1)，所述半导体层具有活跃区域(15)和多个层，其中所述活跃区域(15)布置在xy平面中，其中激光二极管(12)分别在x方向上在两个端面之间形成模式空间(4)，其中所述激光二极管(12)的所述模式空间(4)在y方向上并排地布置，其中在两个所述模式空间(4)之间在所述半导体层(11)中设置沟槽(3)，其中所述沟槽(3)在所述x方向上延伸，并且其中，所述沟槽(3)从所述半导体层(11)的上侧在z方向上延伸一个在至所述活跃区域(15)的方向上预先给定的深度。
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