[发明专利]具有沟槽的激光棒

权利要求书

1.一种具有半导体层(11)的激光棒(1)，所述半导体层具有活跃区域(15)和多个层，其中所述活跃区域(15)布置在xy平面中，其中激光二极管(12)分别在x方向上在所述半导体层(11)的第一端面与第二端面之间形成模式空间(4)，其中所述激光二极管(12)的所述模式空间(4)在y方向上并排地布置，其中在两个所述模式空间(4)之间在所述半导体层(11)中设置第一沟槽(3)，其中所述第一沟槽(3)沿着所述x方向延伸，并且其中所述第一沟槽(3)从所述半导体层(11)的上侧沿着z方向延伸一个在至所述活跃区域(15)的方向上预先给定的深度，其中所述第一沟槽(3)沿着所述z方向终止在所述半导体层(11)的内部，其中在y方向上在两个所述第一沟槽(3)之间布置有具有第二模式空间的第二激光二极管，其中所述第二模式空间沿着所述x方向在所述半导体层(11)的所述第一端面与所述第二端面之间延伸，其中在布置在两个所述第一沟槽(3)之间的两个所述激光二极管(12)之间设置第二沟槽(7)，其中所述第二沟槽(7)沿着所述x方向从所述半导体层(11)的所述第一端面延伸至所述半导体层(11)的所述第二端面，其中所述第二沟槽(7)在所述y方向上具有比第一沟槽(3)更小的宽度，并且其中所述第二沟槽(7)沿着所述z方向延伸并且终止在所述半导体层(11)的内部。

2.根据权利要求1所述的激光棒，其中，所述第一沟槽(3)从所述半导体层(11)的上侧沿着所述z方向延伸到所述活跃区域(15)中。

3.根据权利要求1所述的激光棒，其中，所述第二激光二极管具有第二模式空间，其中所述第二模式空间沿着所述x方向在所述第一端面与所述第二端面之间延伸。

4.根据权利要求1所述的激光棒，其中，所述第二沟槽(7)在所述z方向上具有比第一沟槽(3)更小的深度。

5.根据权利要求1所述的激光棒，其中，所述第二沟槽(7)沿着所述z方向延伸到所述激光二极管(12)的所述活跃区域(15)中。

6.根据权利要求1所述的激光棒，其中，在至少一个第二沟槽(7)中布置吸收材料(8)，其中所述吸收材料(8)设计用于至少部分地吸收由激光二极管(12)产生的电磁辐射。

7.根据权利要求1所述的激光棒，其中，所述激光棒(1)安装在载体(10)上，其中所述载体(10)构造为散热器。

8.根据权利要求1所述的激光棒，其中，所述激光棒(1)安装在载体(10)上，其中所述载体(10)构造为散热器，其中，所述激光棒(1)利用引入所述第一沟槽(3)的一侧安装到所述载体(10)上。

9.根据权利要求1所述的激光棒，其中，所述第一沟槽(3)在所述y方向上具有1μm至100μm的宽度。

10.根据权利要求1所述的激光棒，其中，所述第二沟槽(7)在所述y方向上具有1μm至100μm的宽度。

11.根据权利要求1所述的激光棒，其中，在至少一个第二沟槽(7)中布置吸收材料(8)，其中所述吸收材料(8)设计用于至少部分地吸收由激光二极管(12)产生的电磁辐射，其中所述吸收材料(8)被填充到所述第二沟槽(7)中。

12.根据权利要求1所述的激光棒，其中，在至少一个第二沟槽(7)中布置吸收材料(8)，其中所述吸收材料(8)设计用于至少部分地吸收由激光二极管(12)产生的电磁辐射，其中所述吸收材料(8)比所述半导体层(11)的材料具有更好的导热性。

13.根据权利要求1所述的激光棒，其中，在至少一个第二沟槽(7)中布置吸收材料(8)，其中所述吸收材料(8)设计用于至少部分地吸收由激光二极管(12)产生的电磁辐射，其中所述吸收材料(8)具有金属或者由金属组成。