[发明专利]具有沟槽的激光棒

说明书

本发明涉及一种具有半导体层(11)的激光棒(1)，半导体层具有活跃区域(15)和多个层，其中活跃区域(15)布置在xy平面中，其中激光二极管(12)分别在x方向上在两个端面之间形成模式空间(4)，其中激光二极管(12)的模式空间(4)在y方向上并排地布置，其中在两个模式空间(4)之间在半导体层(11)中设置沟槽(3)，其中沟槽(3)在x方向上延伸，并且其中，沟槽(3)从半导体层(11)的上侧在z方向上延伸到在活跃区域(15)的方向上预先给定的深度。

技术领域

本发明涉及激光棒和用于制造激光棒的方法。

本发明采用德国申请10 2016 103 358.8的优先权，其公开内容在此被参考引用。

背景技术

在现有技术中从DE 196 44 941 C1中已知了高性能二极管激光器，其中激光棒具有多个激光二极管，其中激光二极管通过激光棒中的额定断裂位置相互隔开。在将激光棒焊接到具有较小膨胀系数的散热器上并且冷却之后，沟槽导致额定断裂位置并且导致断裂。通过激光棒的实体上的分离，能够利用在室温下较小的延展性实现焊接的应用，因为由于机械应力能够排除激光棒的各个激光二极管的毁坏。此外，在两个另外的激光二极管之间在表面中引入沟槽。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种具有多个二极管的改善的激光棒，其中尤其改善了激光棒的机械稳定性，并且还改善了激光二极管的光学特性。

提出一种具有半导体层的激光棒，半导体层具有活跃区域，其中活跃区域布置在xy平面中，其中激光二极管分别在x方向上在两个端面之间形成模式空间，其中激光二极管的模式空间在y方向上并排地布置，其中在两个模式空间之间在半导体层中设置第一沟槽，其中第一沟槽在x方向上延伸，其中第一沟槽在y方向上具有预先给定的宽度并且在z方向上具有预先给定的深度。通过这些沟槽减少了激光棒中的机械应力。第一沟槽从半导体层的上侧在z方向上延伸到活跃区域中。第一沟槽可以从半导体层的上侧在z方向上以活跃区域的方向延伸，但是也可以在活跃区域之上终止。由此实现在活跃区域的期望的范围上集中电流密度。在一个实施方案中，沟槽也能够延伸超过活跃区域。

在一个实施方案中，在两个第一沟槽之间布置有具有第二模式空间的第二激光二极管，其中第二模式空间在x方向上在两个端面之间延伸。

在一个实施方案中，在布置在两个第一沟槽之间的两个激光二极管之间设置第二沟槽，其中第二沟槽沿着x方向延伸，其中第二沟槽在z方向上具有比第一沟槽更小的深度。

在一个实施方案中，第二沟槽在z方向上延伸到第一和第二激光二极管的活跃区域中。在一个实施方案中，第二沟槽能够延伸超过活跃区域。

在一个实施方案中，第二沟槽不延伸到第一和第二激光二极管的活跃区域中，而是终止在活跃区域之上。

在一个实施方案中，第二沟槽被填充材料，特别是被填充吸收激光二极管的电磁辐射的材料。

在一个实施方案中，激光棒安装在载体上。

在一个实施方案中，激光棒利用引入沟槽的一侧向下安装到载体上。

在一个实施方案中，第一沟槽在y方向上具有1μm至100μm或更多、尤其50μm的范围中的宽度。

在一个实施方案中，第二沟槽在y方向上具有1μm至100μm或更多、尤其50μm的范围中的宽度。

在一个实施方案中，半导体层由GaN材料系统、特别是具有Al和/或In的GaN材料系统构成。