[发明专利]具有纳米结构能量存储装置的插入件有效
| 申请号： | 201780012755.5 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN108701672B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | M·沙菲克·卡比尔;安德斯·约翰逊;穆罕默德·阿明萨利姆;彼得·埃诺克松;文森特·德马里;里卡德·安德森 | 申请（专利权）人： | 斯莫特克有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01G4/35;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;李德山 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种插入件装置，包括：插入件基底；多个导电通孔，其延伸穿过插入件基底；导体图案，其在插入件基底上；以及纳米结构能量存储装置。纳米结构能量存储装置包括：形成在插入件基底上的至少第一多个导电纳米结构；嵌入了第一多个导电纳米结构中的每个纳米结构的导电控制材料；连接至第一多个纳米结构中的每个纳米结构的第一电极；通过导电控制材料与第一多个纳米结构中的每个纳米结构分开的第二电极，其中，第一电极和第二电极被配置成允许纳米结构能量存储装置与集成电路电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 结构 能量 存储 装置 插入 | ||
【主权项】：
1.一种插入件装置，其布置在集成电路与装置基底之间，以通过所述插入件装置使所述第一集成电路和所述装置基底互连，所述插入件装置包括：插入件基底，其具有电绝缘表面部分；多个导电通孔，其延伸穿过所述插入件基底；导体图案，其设置在所述插入件基底的电绝缘表面部分上，所述导体图案导电地连接至所述通孔并限定用于与所述集成电路和所述装置基底中的至少一个连接的连接位置，以及纳米结构能量存储装置，其包括：至少第一多个导电纳米结构，其设置在所述插入件基底的电绝缘表面部分上；导电控制材料，其嵌入有所述第一多个导电纳米结构中的每个纳米结构；第一电极，其连接至所述第一多个纳米结构中的每个纳米结构；以及第二电极，其通过所述导电控制材料与所述第一多个纳米结构中的每个纳米结构分开，其中，所述第一电极和所述第二电极被配置成允许所述纳米结构能量存储装置与所述集成电路电连接。
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