[发明专利]具有纳米结构能量存储装置的插入件

权利要求书

1.一种插入件装置，其布置在集成电路与装置基底之间，以通过所述插入件装置使所述集成电路和所述装置基底互连，所述插入件装置包括：

插入件基底，其具有电绝缘表面部分；

多个导电通孔，其延伸穿过所述插入件基底；

导体图案，其设置在所述插入件基底的电绝缘表面部分上，所述导体图案导电地连接至所述通孔并限定用于与所述集成电路和所述装置基底中的至少一个连接的连接位置，以及

纳米结构能量存储装置，其包括：

至少第一多个导电纳米结构，其设置在所述插入件基底的电绝缘表面部分上；

导电控制材料，其在设置所述第一多个导电纳米结构之后沉积，并嵌入有所述第一多个导电纳米结构中的每个纳米结构；

第一电极，其连接至所述第一多个导电纳米结构中的每个纳米结构；以及

第二电极，其通过所述导电控制材料与所述第一多个导电纳米结构中的每个纳米结构分开，

其中，所述第一电极和所述第二电极被配置成允许所述纳米结构能量存储装置与所述集成电路电连接。

2.根据权利要求1所述的插入件装置，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个被包括在所述插入件基底上的导体图案中。

3.根据权利要求1或2所述的插入件装置，其中，所述第一多个导电纳米结构中的所述导电纳米结构是在所述插入件基底的电绝缘表面部分上生长出的垂直纳米结构。

4.根据权利要求3所述的插入件装置，还包括在所述插入件基底的电绝缘表面部分与所述第一多个导电纳米结构中的所述导电纳米结构之间的催化层。

5.根据权利要求1或2所述的插入件装置，其中，所述第一电极布置在所述插入件基底的电绝缘表面部分与所述第一多个导电纳米结构中的每个纳米结构之间。

6.根据权利要求5所述的插入件装置，其中，从所述第一电极生长出所述第一多个导电纳米结构中的每个纳米结构。

7.根据权利要求1或2所述的插入件装置，其中，所述导电控制材料被布置成所述第一多个导电纳米结构中的每个纳米结构上的保形涂层。

8.根据权利要求1或2所述的插入件装置，其中，所述第二电极覆盖所述导电控制材料。

9.根据权利要求1或2所述的插入件装置，其中，所述纳米结构能量存储装置还包括嵌入在所述导电控制材料中的第二多个导电纳米结构。

10.根据权利要求9所述的插入件装置，其中，所述第二多个导电纳米结构中的所述导电纳米结构是在所述插入件基底的电绝缘表面部分上生长出的垂直纳米结构。

11.根据权利要求10所述的插入件装置，还包括在所述插入件基底的电绝缘表面部分与所述第二多个导电纳米结构中的所述导电纳米结构之间的催化层。

12.根据权利要求10所述的插入件装置，其中，所述第二电极布置在所述插入件基底的电绝缘表面部分与所述第二多个导电纳米结构中的每个纳米结构之间。

13.根据权利要求12所述的插入件装置，其中，从所述第二电极生长出所述第二多个导电纳米结构中的每个纳米结构。

14.根据权利要求9所述的插入件装置，其中，所述导电控制材料被布置成所述第二多个导电纳米结构中的每个纳米结构上的保形涂层。

15.根据权利要求9所述的插入件装置，其中，所述第一电极覆盖所述第一多个导电纳米结构，并且所述第二电极覆盖所述第二多个导电纳米结构。