[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
| 申请号： | 201780009122.9 | 申请日： | 2017-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN108604536B | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 春本将彦;浅井正也;田中裕二;金山幸司 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;崔炳哲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在基板(W)的被处理面上形成有包含金属成分及感光性材料的抗蚀膜之后，由边缘曝光部(41)对基板的周缘部照射光。由此，对基板的周缘部上的抗蚀膜的部分进行曝光。接着，通过由显影液喷嘴(43)对基板的周缘部供给显影液，由此对被曝光后的抗蚀膜的部分进行显影处理。由此，除去在基板的周缘部上形成的抗蚀膜的部分。然后，将基板搬送至曝光装置(15)。通过在曝光装置中对基板进行曝光处理，由此在抗蚀膜上形成曝光图案，接着通过在显影处理单元(139)中对曝光处理后的基板供给显影液，由此进行抗蚀膜的显影处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，被配置为与对基板进行曝光处理的曝光装置邻接，所述基板处理装置具有：膜形成单元，用于在基板的被处理面上形成含金属感光性膜，所述含金属感光性膜包含金属成分及感光性材料；边缘曝光部，用于对形成含金属感光性膜后的基板的周缘部照射光；边缘显影处理部，通过对基板的周缘部供给显影液，由此对已经被所述边缘曝光部照射光的含金属感光性膜的部分进行显影处理；搬送机构，用于将由所述边缘显影处理部进行显影处理后的基板搬送至所述曝光装置；以及显影处理单元，通过对在所述曝光装置中进行曝光处理后的基板供给显影液，由此进行含金属感光性膜的显影处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
