[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
| 申请号: | 201780009122.9 | 申请日: | 2017-02-03 |
| 公开(公告)号: | CN108604536B | 公开(公告)日: | 2023-02-14 |
| 发明(设计)人: | 春本将彦;浅井正也;田中裕二;金山幸司 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
在基板(W)的被处理面上形成有包含金属成分及感光性材料的抗蚀膜之后,由边缘曝光部(41)对基板的周缘部照射光。由此,对基板的周缘部上的抗蚀膜的部分进行曝光。接着,通过由显影液喷嘴(43)对基板的周缘部供给显影液,由此对被曝光后的抗蚀膜的部分进行显影处理。由此,除去在基板的周缘部上形成的抗蚀膜的部分。然后,将基板搬送至曝光装置(15)。通过在曝光装置中对基板进行曝光处理,由此在抗蚀膜上形成曝光图案,接着通过在显影处理单元(139)中对曝光处理后的基板供给显影液,由此进行抗蚀膜的显影处理。
技术领域
本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
在制造半导体设备等的光刻工序中,通过对基板上供给抗蚀液等涂布液而形成涂布膜。例如,能通过旋转卡盘使基板一边保持于水平一边旋转。在该状态下,通过从抗蚀喷嘴向基板的上表面的大致中央部喷出抗蚀液,就能在基板的整个上表面上形成作为涂布膜的抗蚀膜。此处,若在基板的周缘部存在有抗蚀膜,就会在用于搬送基板的搬送机构把持基板的周缘部时,使抗蚀膜的一部分剥离并成为颗粒。于是,通过从边缘冲洗喷嘴对基板的周缘部喷出有机溶剂来溶解基板的周缘部的抗蚀膜。由此,除去基板的周缘部的抗蚀膜(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献1:日本特开平6-124887号公报
发明内容
发明所要解决的问题
近年来,为了形成更微细的图案,已有研究应用含有金属成分的涂布膜(以下,称为含金属涂布膜)的技术。然而,通过发明人的实验,可明白即便是在通过对形成于基板上的含金属涂布膜的周缘部喷出有机溶剂来除去基板的周缘部的涂布膜的情况下,含有金属成分的涂布膜成分仍无法被除去而残留于基板的周缘部上。因此,残留于基板的周缘部的金属成分会导致基板处理装置以及邻接的曝光装置被污染。
本发明的目的在于提供一种能够防止因在基板的周缘部上残留的金属成分引起的金属污染的发生的基板处理装置及基板处理方法。
解决问题的技术方案
(1)本发明的一个实施方式的基板处理装置,被配置为与对基板进行曝光处理的曝光装置邻接,该基板处理装置具有:膜形成单元,用于在基板的被处理面上形成含金属感光性膜,该含金属感光性膜包含金属成分及感光性材料;边缘曝光部,用于对形成含金属感光性膜后的基板的周缘部照射光;边缘显影处理部,通过对基板的周缘部供给显影液,由此对已经被边缘曝光部照射光的含金属感光性膜的部分进行显影处理;搬送机构,用于将由边缘显影处理部进行显影处理后的基板搬送至曝光装置;以及显影处理单元,通过对曝光装置中的曝光处理后的基板供给显影液,由此进行含金属感光性膜的显影处理。
以下,将由边缘曝光处理部进行的含金属感光性膜的曝光处理称为边缘曝光处理,将由边缘显影处理部进行的含金属感光性膜的显影处理称为边缘显影处理。
在该基板处理装置中,在基板的被处理面上形成有含金属感光性膜的后,对基板的周缘部照射光。由此,对基板的周缘部上的含金属感光性膜的部分进行曝光,作为边缘曝光处理。接着,通过对基板的周缘部供给显影液,由此对被曝光后的含金属感光性膜的部分进行显影处理,作为边缘显影处理。然后,将基板搬送至曝光装置。通过在曝光装置中对基板进行曝光处理,由此在含金属感光性膜上形成曝光图案,接着通过在显影处理单元中对曝光处理后的基板供给显影液,由此进行含金属感光性膜的显影处理。
如此,在基板上形成有含金属感光性膜之后、且在基板被搬送至曝光装置之前,对基板的周缘部上的含金属感光性膜的部分进行边缘曝光处理及边缘显影处理。由此,可以从基板的周缘部上适当地除去含金属感光性膜。因此,能防止基板的周缘部上残留金属成分,并且能充分地防止在基板处理装置及曝光装置中发生金属污染。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





