[发明专利]垂直堆叠的纳米线场效应晶体管有效
| 申请号： | 201780008884.7 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108541341B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | V·马赫卡奥特桑;S·S·宋;M·巴达罗格鲁;J·J·朱;J·鲍;J·J·徐;D·杨;M·M·诺瓦克;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L29/423;H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种器件包括基板、第一纳米线场效应晶体管(FET)、以及被置于基板和第一纳米线FET之间的第二纳米线FET。该器件还包括电耦合到第一纳米线FET和第二纳米线FET的第一纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 堆叠 纳米 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：基板；第一纳米线场效应晶体管(FET)；被置于所述基板与所述第一纳米线FET之间的第二纳米线FET；以及电耦合到所述第一纳米线FET和所述第二纳米线FET的第一纳米线。
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