[发明专利]垂直堆叠的纳米线场效应晶体管

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板；

第一纳米线FET；

被置于所述基板与所述第一纳米线FET之间的第二纳米线FET；

电耦合到所述第一纳米线FET和所述第二纳米线FET的第一纳米线；

耦合到所述第一纳米线FET和所述第二纳米线FET中的每一者的源极区的共用源极线；

耦合到所述第一纳米线FET和所述第二纳米线FET中的每一者的漏极区的共用漏极线；以及

耦合到所述第一纳米线FET和所述第二纳米线FET中的每一者的栅极区的共用栅极线。

2.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括多条纳米线，所述多条纳米线包括所述第一纳米线，其中所述多条纳米线中的每一者在基本上垂直于所述基板的表面的方向上延伸。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述多条纳米线中的每一者电耦合到所述第一纳米线FET和所述第二纳米线FET。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一纳米线FET和所述第二纳米线FET形成第一纳米线FET堆叠，并且所述半导体器件进一步包括耦合到所述基板的第二纳米线FET堆叠。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二纳米线FET堆叠包括多个纳米线FET以及耦合到所述多个纳米线FET中的每个纳米线FET的第二纳米线。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二纳米线FET堆叠包括电耦合到所述第二纳米线FET堆叠中的多个纳米线FET的第二纳米线，其中所述第一纳米线包括第一材料，并且所述第二纳米线包括与所述第一材料不同的第二材料。

7.如权利要求6所述的半导体器件，进一步包括所述第一纳米线FET堆叠与所述第二纳米线FET堆叠之间的隔离沟槽，其中所述第一材料包括N型掺杂剂并且所述第二材料包括P型掺杂剂。

8.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一纳米线FET堆叠包括第一数目的纳米线FET，并且所述第二纳米线FET堆叠包括第二数目的纳米线FET，所述第二数目不同于所述第一数目，并且其中所述第一纳米线FET堆叠具有与所述第二纳米线FET堆叠的第二驱动强度不同的第一驱动强度。

9.如权利要求4所述的半导体器件，进一步包括耦合到所述基板的多个附加纳米线FET堆叠，所述第一纳米线FET堆叠、所述第二纳米线FET堆叠和所述多个附加纳米线FET堆叠被布置成栅格。

10.如权利要求4所述的半导体器件，进一步包括所述第一纳米线FET堆叠与所述第二纳米线FET堆叠之间的隔离沟槽。

11.如权利要求4所述的半导体器件，进一步包括其中集成了所述第一纳米线FET堆叠和所述第二纳米线FET堆叠的通信设备、个人数字助理(PDA)、导航设备、固定位置数据单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、或者计算机。

12.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括被置于所述基板与所述第二纳米线FET之间的至少一个附加纳米线FET，所述第一纳米线电耦合到所述至少一个附加纳米线FET。

13.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一纳米线FET包括第一源极区、第一漏极区、以及在所述第一源极区与所述第一漏极区之间的第一栅极区，并且所述第二纳米线FET包括所述第一漏极区、第二源极区、以及在所述第一漏极区与所述第二源极区之间的第二栅极区。