[发明专利]聚芳撑硫醚树脂粉粒体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201780004223.7 申请日: 2017-01-17
公开(公告)号: CN108368275B 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 渡边圭;竹田多完;御山寿;西田干也 申请(专利权)人: 东丽株式会社
主分类号: C08J3/12 分类号: C08J3/12;B29C64/153;B33Y10/00;B33Y70/00;C08K3/013;C08K3/36;C08K7/18;C08L81/02;B29K81/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 孙丽梅;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种聚芳撑硫醚树脂粉粒体,其特征在于,平均粒径超过1μm且为100μm以下,均匀度为4以下,在温度300℃、剪切速度1216sec‑1的条件下测定的熔融粘度为150Pa·s以上且500Pa·s以下,再结晶温度为150~210℃,所述再结晶温度的定义是:使用差示扫描量热仪以20℃/分钟从340℃降温至50℃的情况下的、结晶化时的放热峰的顶点温度。本发明能够高效率地提供适合用作通过粉末烧结法三维打印机来制作三维造型物的材料粉末的聚芳撑硫醚树脂粉粒体。
搜索关键词: 聚芳撑硫醚 树脂粉粒 再结晶 差示扫描量热仪 粉末烧结法 三维打印机 三维造型物 材料粉末 平均粒径 熔融粘度 剪切 放热峰 高效率 结晶化 均匀度 制作 制造
【主权项】:
1.一种三维造型物的制造方法,将下述聚芳撑硫醚树脂粉粒体供给至粉末烧结法三维打印机,所述聚芳撑硫醚树脂粉粒体的平均粒径超过1μm且为100μm以下,均匀度为4以下,在温度300℃、剪切速度1216sec‑1的条件下测定的熔融粘度为150Pa·s以上且500Pa·s以下,再结晶温度为150~210℃,所述再结晶温度的定义是:使用差示扫描量热仪以20℃/min从50℃升温至340℃,然后在340℃保持5分钟,以20℃/min从340℃降温至50℃的情况下的、结晶化时的放热峰的顶点温度。
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