[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780004150.1 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108292682B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 北田瑞枝;浅田毅;山口武司;铃木教章;新井大辅 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的功率半导体装置100,包括：半导体基体110，在第一半导体层112上层积有第二半导体层114，在第二半导体层114的表面形成有沟槽118，在沟槽118内形成有由外延层构成的第三半导体层116；第一电极126；层间绝缘膜122，具有规定开口128；以及第二电极124，其中，在开口128的内部填充有金属，并且开口128位于避开第三半导体层116的中央部的位置上，第二电极124经由金属与第三半导体层116相连接，第三半导体层116的中央部的表面被层间绝缘膜122所覆盖。根据本发明的半导体装置，其提供一种：具备在沟槽118内形成有由外延层构成的第三半导体层116的，同时不易因穿通模式下的击穿导致耐压降低的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体基体，在第一导电型或第二导电型第一半导体层上层积有第一导电型第二半导体层，并且在所述第二半导体层的表面形成有规定深度的沟槽，在该沟槽内形成有由单结晶外延层构成的第二导电型第三半导体层；第一电极，位于所述第一半导体层的表面上；层间绝缘膜，位于所述第二半导体层以及所述第三半导体层的表面上，并且具有从平面上看至少形成在形成有所述第三半导体层的区域内的规定的开口；以及第二电极，位于所述层间绝缘膜上，其中，在所述开口的内部填充有金属，其特征在于：其中，所述开口从平面上看，位于避开所述第三半导体层的中央部的位置上，所述第二电极经由所述开口内部填充的所述金属至少与所述第三半导体层接触，所述第三半导体层的中央部的表面通过所述层间绝缘膜覆盖。
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