[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基体，在第一导电型或第二导电型第一半导体层上层积有第一导电型第二半导体层，并且在所述第二半导体层的表面形成有规定深度的沟槽，在该沟槽内形成有由单结晶外延层构成的第二导电型第三半导体层；

第一电极，位于所述第一半导体层的表面上；

层间绝缘膜，位于所述第二半导体层以及所述第三半导体层的表面上，并且具有从平面上看至少形成在形成有所述第三半导体层的区域内的规定的开口；以及

第二电极，位于所述层间绝缘膜上，

其中，在所述开口的内部填充有金属，

其特征在于：

其中，所述开口从平面上看，位于避开所述第三半导体层的中央部的位置上，

所述第二电极经由所述开口内部填充的所述金属至少与所述第三半导体层接触，

所述第三半导体层的中央部的表面通过所述层间绝缘膜覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，从平面上看从所述第三半导体层的中央直至所述开口的侧壁中距离所述第三半导体层的中央最近的侧壁的长度在0.1μm以上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

其中，进一步包括：在所述开口的内部将不同于构成第二电极的金属的金属填充后形成的金属塞，

所述第二电极经由所述金属塞至少与所述第三半导体层连接。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在所述开口的内部，直接填充有构成所述第二电极的金属，所述第二电极至少与所述第三半导体层直接连接。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在所述半导体基体中所述第二半导体层以及所述第三半导体层的表面的至少一部分上形成有第二导电型第四半导体层，

在将被相邻的所述沟槽夹住的部分上的所述第二半导体层中比所述第四半导体层更深的部分定为第一柱形，并将所述第三半导体层中比所述第四半导体层更深的部分定为第二柱形时，由所述第一柱形与所述第二柱形构成超级结结构。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述半导体装置为：所述第四半导体层被形成在所述第二半导体层以及所述第三半导体层的表面的全部上的，并且所述第二电极为与所述第四半导体层相连接的PIN二极管。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在所述半导体基体中，

所述第一半导体层为第一导电型半导体层，

所述第四半导体层为形成在所述第二半导体层以及所述第三半导体层的整个表面上的基极层，

所述第四半导体层的表面上形成有第一导电型高浓度扩散区域，

所述半导体装置为沟槽栅极型MOSFET，其进一步包括：

从平面上看位于未形成有所述沟槽的区域上的，被形成为到达比所述第四半导体层更深的位置上的，并且使所述第一导电型高浓度扩散区域的一部分露出于内周面的栅极沟槽；

形成在所述栅极沟槽的内周面上的栅极绝缘膜；以及

经由所述栅极绝缘膜被填埋入所述栅极沟槽内部后形成的栅电极，

所述第二电极与所述第四半导体层以及所述第一导电型高浓度扩散区域相连接。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在所述半导体基体中，

所述第一半导体层为第一导电型半导体层，

所述第四半导体层为形成在所述第二半导体层的表面的一部分上以及所述第三半导体层的整个表面上的基极层，

所述第四半导体层的表面的一部分上形成有第一导电型高浓度扩散区域，

所述半导体装置为平面栅极型MOSFET，其进一步包括：经由栅极绝缘膜形成的，至少将被所述第一导电型高浓度扩散区域与所述第二半导体层夹住的所述第四半导体层覆盖的栅电极，

所述第二电极与所述第四半导体层以及所述第一导电型高浓度扩散区域相连接。