[发明专利]铜的微蚀刻剂及电路基板的制造方法有效
申请号: | 201780002281.6 | 申请日: | 2017-02-08 |
公开(公告)号: | CN107849705B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 松本启佑 | 申请(专利权)人: | MEC股份有限公司 |
主分类号: | C23F1/18 | 分类号: | C23F1/18;H01L21/306;H01L21/308;H05K3/38 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 董佳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明为关于一种微蚀刻剂及电路基板的制造方法,该微蚀刻剂由铜的结晶性不同引起的粗化形状的差异小,且对于电解铜及压延铜的任一者均能够形成与树脂等的密接性优异的粗化形状,该电路基板的制造方法具有使用该微蚀刻剂对铜表面进行粗化的工序。本发明的铜的微蚀刻剂为含有无机酸、铜(II)离子源、卤化物离子源、及聚合物的酸性水溶液。聚合物具有含有氮原子的官能基。微蚀刻剂优选为含有硫酸根离子源。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 路基 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微蚀刻剂,其特征在于为用于铜的表面粗化的铜的微蚀刻剂,且为含有无机酸、铜(II)离子源、卤化物离子源、硫酸根离子源及聚合物的酸性水溶液;所述聚合物为重均分子量为1000以上的水溶性聚合物,侧链含有季铵基的聚合物、以及含有选自由如下述式(V)
所表示般的重复单元的聚合物所组成的群组中的1种以上;所述式(V)中,R14为氢原子或可具有取代基的链状或者环状的烃基;m为0至2的整数;X12及X13分别独立为单键或2价连接基。
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