[发明专利]铜的微蚀刻剂及电路基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201780002281.6 申请日: 2017-02-08
公开(公告)号: CN107849705B 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 松本启佑 申请(专利权)人: MEC股份有限公司
主分类号: C23F1/18 分类号: C23F1/18;H01L21/306;H01L21/308;H05K3/38
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 董佳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 蚀刻 路基 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明为关于一种铜的微蚀刻剂及电路基板的制造方法。

背景技术

通常的多层电路板为将具有由铜或铜合金等所构成的导电层的内层基板夹着预浸体(prepreg)与其他内层基板或铜箔等加以积层压制而制造。导电层间为利用孔壁经镀铜的称为通孔的贯通孔而进行电性连接。为了提高导电层与预浸体等树脂或焊料的接着性,现使用利用微蚀刻剂(粗化剂)于导电层的表面形成微细的凹凸形状的方法。若使微蚀刻剂接触金属表面,则因由金属的结晶粒的结晶方位引起的蚀刻速率不同、或金属的结晶粒与晶界部分的蚀刻速率不同等,而形成凹凸形状,从而使表面粗化。

作为铜或铜合金的微蚀刻剂,已知有:有机酸系微蚀刻剂(参照专利文献1)、硫酸-过氧化氢系微蚀刻剂(参照专利文献2)、盐酸系微蚀刻剂(参照专利文献3)等。于该等微蚀刻剂中,基于粗化形状或蚀刻速度的调整等,而添加有卤素、聚合物、防腐蚀剂、界面活性剂等。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1:日本专利特开平9-41163号公报。

专利文献2:日本专利特开2002-47583号公报。

专利文献3:WO2007/024312号手册。

发明内容

[发明所要解决的问题]

作为印刷电路板的导电层,现主要使用压延铜箔及电解铜箔。如图1A及图1B所示,压延铜与电解铜的表面的微观形状不同。另外,两者的结晶特性有较大不同。因此,若铜箔的种类不同,则有藉由蚀刻处理而形成于表面的粗化形状不同的情形。尤其是,压延铜箔由于结晶粒大而结晶面方位的均匀性高,故而有难以形成凹凸形状的倾向。因此,利用先前的微蚀刻剂,虽然能够于电解铜箔的表面面内均匀地形成与树脂的密接性优异的粗化形状,但对于压延铜箔,有未形成适当的粗化形状的情形或产生粗化不均的情形。于此种情形时,需要根据铜箔的种类而变更所使用的微蚀刻剂,而产生工序管理变得繁杂等问题。

鉴于前述情况,本发明的目的在于提供一种微蚀刻剂,该微蚀刻剂由铜的结晶性不同引起的粗化形状的差异小而对于电解铜及压延铜的任一者均能够形成与树脂等的密接性优异的粗化形状。

[解决问题的技术手段]

本发明为关于一种用于铜的表面粗化的铜的微蚀刻剂。此外,本说明书中的「铜」包括铜及铜合金。另外,「铜层」亦包括铜电路图案层。微蚀刻剂为含有无机酸、铜(II)离子源、卤化物离子源、硫酸根离子源及聚合物的酸性水溶液。微蚀刻剂所含的聚合物为侧链含有胺基或季铵基的重均分子量为1000以上的水溶性聚合物,较佳为阳离子性。

并且,本发明为关于一种电路基板的制造方法,该电路基板含有铜层。电路基板的制造方法具有使前述微蚀刻剂接触铜层的表面而对铜层的表面进行粗化的工序(粗化处理工序)。于粗化处理工序中,为了将微蚀刻剂的组成保持为预定范围,较佳为对微蚀刻剂添加补给液。

[发明效果]

根据本发明,即使对于压延铜,亦能够均匀地形成与树脂等的密接性优异的粗化形状。

附图说明

图1A为未进行蚀刻处理的压延铜表面的扫描型电子显微镜照片(拍摄角度45°、倍率3500倍)。

图1B为未进行蚀刻处理的电解铜表面的扫描型电子显微镜照片(拍摄角度45°、倍率3500倍)。

图2A为利用实施例的微蚀刻剂进行过粗化处理的压延铜表面的扫描型电子显微镜照片(拍摄角度45°、倍率3500倍)。

图2B为利用实施例的微蚀刻剂进行过粗化处理的电解铜表面的扫描型电子显微镜照片(拍摄角度45°、倍率3500倍)。

图3A为利用实施例的微蚀刻剂进行过粗化处理的压延铜表面的扫描型电子显微镜照片(拍摄角度45°、倍率3500倍)。

图3B为利用实施例的微蚀刻剂进行过粗化处理的电解铜表面的扫描型电子显微镜照片(拍摄角度45°、倍率3500倍)。

图4为利用实施例的微蚀刻剂进行过粗化处理的压延铜表面的扫描型电子显微镜照片(拍摄角度45°、倍率3500倍)。

图5为利用实施例的微蚀刻剂进行过粗化处理的压延铜表面的扫描型电子显微镜照片(拍摄角度45°、倍率3500倍)。

图6为利用实施例的微蚀刻剂进行过粗化处理的压延铜表面的扫描型电子显微镜照片(拍摄角度45°、倍率3500倍)。

图7为利用实施例的微蚀刻剂进行过粗化处理的压延铜表面的扫描型电子显微镜照片(拍摄角度45°、倍率3500倍)。

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