[发明专利]铜的微蚀刻剂及电路基板的制造方法有效
| 申请号： | 201780002281.6 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN107849705B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 松本启佑 | 申请（专利权）人： | MEC股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;H01L21/306;H01L21/308;H05K3/38 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 董佳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 路基 制造 方法 | ||
1.一种微蚀刻剂，其特征在于用于铜的表面粗化的铜的微蚀刻剂，且为含有无机酸、铜(II)离子源、卤化物离子源、硫酸根离子源及聚合物的酸性水溶液；
前述聚合物为侧链含有胺基或季铵基的重均分子量为1000以上的水溶性聚合物。
2.根据权利要求1所述的微蚀刻剂，其特征在于前述铜(II)离子源的摩尔浓度为0.05摩尔/L以上。
3.根据权利要求1或2所述的微蚀刻剂，其特征在于前述卤化物离子源的摩尔浓度为0.01摩尔/L至4摩尔/L。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的微蚀刻剂，其特征在于前述铜(II)离子源的摩尔浓度为前述卤化物离子源的摩尔浓度的0.2倍以上。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的微蚀刻剂，其特征在于前述硫酸根离子源的摩尔浓度为0.02摩尔/L以上。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的微蚀刻剂，其特征在于含有选自由硫酸及盐酸所组成的群组中的1种以上作为前述无机酸。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的微蚀刻剂，其特征在于前述聚合物的浓度为0.002g/L至1g/L。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的微蚀刻剂，其特征在于前述聚合物为阳离子性聚合物。
9.一种电路基板的制造方法，其特征在于含有铜层的电路基板的制造方法；
具有粗化处理工序，使如权利要求1至8中任一项所述的微蚀刻剂接触铜层的表面而对前述铜层的表面进行粗化。
10.根据权利要求9所述的电路基板的制造方法，其特征在于前述铜层与前述微蚀刻剂接触的面的表面由压延铜所构成。
11.根据权利要求9或10所述的电路基板的制造方法，其特征在于于前述粗化处理工序中，将由含有无机酸、卤化物离子源及聚合物的酸性水溶液所构成的补给液添加至前述微蚀刻剂；
前述补给液中的前述聚合物为侧链含有胺基或季铵基的重均分子量为1000以上的水溶性聚合物。
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