[实用新型]发光二极管芯片的封装结构有效
申请号: | 201721889096.7 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN207852727U | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 蔡奇风;陈彦亨;林正忠;吴政达 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/48 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种发光二极管芯片的封装结构,所述封装结构包括:重新布线层,包括第一面以及与所述第一面相对的第二面,所述重新布线层的第一面制作有凸点下金属及金属凸块;发光二极管芯片,装设于所述重新布线层的第二面上,其中,所述发光二极管芯片的电极背离所述重新布线层;导线,连接于所述发光二极管芯片的电极与所述重新布线层的第二面,以实现所述发光二极管芯片与所述重新布线层的电性连接;以及荧光材料,包围于所述发光二极管芯片及所述导线。本实用新型的发光二极管芯片创新的采用扇出型封装结构,封装密度高,可有效降低封装体积,本实用新型具有良好的散热效果,可大大提高芯片的耐用性能及寿命。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管芯片 重新布线层 本实用新型 封装结构 电极 第二面 封装 扇出型封装 电性连接 金属凸块 耐用性能 散热效果 荧光材料 凸点 装设 背离 芯片 包围 金属 制作 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管芯片的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:重新布线层,包括第一面以及与所述第一面相对的第二面,所述重新布线层的第一面制作有凸点下金属及金属凸块;发光二极管芯片,装设于所述重新布线层的第二面上,其中,所述发光二极管芯片的电极背离所述重新布线层;导线,连接于所述发光二极管芯片的电极与所述重新布线层的第二面,以实现所述发光二极管芯片与所述重新布线层的电性连接;以及荧光材料,包围于所述发光二极管芯片及所述导线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司,未经中芯长电半导体(江阴)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721889096.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种倒装LED芯片的COB光源模组结构
- 下一篇:发光二极管芯片的封装结构