[实用新型]发光二极管芯片的封装结构有效

专利信息
申请号: 201721889096.7 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN207852727U 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 蔡奇风;陈彦亨;林正忠;吴政达 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/48
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供一种发光二极管芯片的封装结构,所述封装结构包括:重新布线层,包括第一面以及与所述第一面相对的第二面,所述重新布线层的第一面制作有凸点下金属及金属凸块;发光二极管芯片,装设于所述重新布线层的第二面上,其中,所述发光二极管芯片的电极背离所述重新布线层;导线,连接于所述发光二极管芯片的电极与所述重新布线层的第二面,以实现所述发光二极管芯片与所述重新布线层的电性连接;以及荧光材料,包围于所述发光二极管芯片及所述导线。本实用新型的发光二极管芯片创新的采用扇出型封装结构,封装密度高,可有效降低封装体积,本实用新型具有良好的散热效果,可大大提高芯片的耐用性能及寿命。
搜索关键词: 发光二极管芯片 重新布线层 本实用新型 封装结构 电极 第二面 封装 扇出型封装 电性连接 金属凸块 耐用性能 散热效果 荧光材料 凸点 装设 背离 芯片 包围 金属 制作
【主权项】:
1.一种发光二极管芯片的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:重新布线层,包括第一面以及与所述第一面相对的第二面,所述重新布线层的第一面制作有凸点下金属及金属凸块;发光二极管芯片,装设于所述重新布线层的第二面上,其中,所述发光二极管芯片的电极背离所述重新布线层;导线,连接于所述发光二极管芯片的电极与所述重新布线层的第二面,以实现所述发光二极管芯片与所述重新布线层的电性连接;以及荧光材料,包围于所述发光二极管芯片及所述导线。
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