[实用新型]发光二极管芯片的封装结构

说明书

本实用新型提供一种发光二极管芯片的封装结构，所述封装结构包括：重新布线层，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述重新布线层的第一面制作有凸点下金属及金属凸块；发光二极管芯片，装设于所述重新布线层的第二面上，其中，所述发光二极管芯片的电极背离所述重新布线层；导线，连接于所述发光二极管芯片的电极与所述重新布线层的第二面，以实现所述发光二极管芯片与所述重新布线层的电性连接；以及荧光材料，包围于所述发光二极管芯片及所述导线。本实用新型的发光二极管芯片创新的采用扇出型封装结构，封装密度高，可有效降低封装体积，本实用新型具有良好的散热效果，可大大提高芯片的耐用性能及寿命。

技术领域

本实用新型属于半导体封装领域，特别是涉及一种发光二极管芯片的封装结构及封装方法。

背景技术

随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。

由于扇出晶圆级封装(fowlp)技术由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，以及具有更好的性能和更高的能源效率，扇出晶圆级封装(fowlp)技术已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。

当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下，节约能源是我们未来面临的重要的问题，在照明领域，LED发光产品的应用正吸引着世人的目光，LED作为一种新型的绿色光源产品，必然是未来发展的趋势，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。

LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。

现有的发光二极管芯片的封装通常包括正装封装及倒装封装。现有的正装封装和倒装封装结构通常需要将发光二极管芯片固定于一基底上，所述基底需要实现发光二极管芯片的电性引出。然而，这种基底厚度较大，散热效率不是很理想，发光二极管芯片由于热积累导致可靠性及寿命的降低，并且，封装结构的体积较为庞大。更重要的是，引出发光二极管芯片的基底电路结构较为简单，大大影响了其它逻辑芯片或控制电路的配合工作，并不利于发光二极管芯片引用的拓展。

基于以上所述，提供一种可有效提高发光二极管芯片散热，较小封装体积，并能为发光二极管芯片与其它电路模块提供更多配合应用的封装结构及封装方法实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种发光二极管芯片的封装结构及封装方法，用于解决现有技术中发光二极管芯片的封装结构基底厚度较大，散热效率不是很理想，体积较为庞大以及引出电路不利于应用拓展等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种发光二极管芯片的封装结构，所述封装结构包括：重新布线层，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述重新布线层的第一面制作有凸点下金属及金属凸块；发光二极管芯片，装设于所述重新布线层的第二面上，其中，所述发光二极管芯片的电极背离所述重新布线层；导线，连接于所述发光二极管芯片的电极与所述重新布线层的第二面，以实现所述发光二极管芯片与所述重新布线层的电性连接；以及荧光材料，包围于所述发光二极管芯片及所述导线。

优选地，所述重新布线层包括图形化的介质层以及图形化的金属布线层。

进一步地，所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合，所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。

优选地，所述金属凸块包括金焊球凸块、金锡合金焊球凸块、锡铅合金焊球凸块、锡银合金焊球凸块中的一种。