[实用新型]用于产生等离子体的天线结构体有效
申请号: | 201721744926.7 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN207637744U | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 朴宇钟;崔正秀 | 申请(专利权)人: | INVENIA有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;许向彤 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型实施例中的用于产生等离子体的天线结构体是被施加高频电力并在处理室内生成等离子体的用于产生等离子体天线结构体,包含以形成至少一个角部的方式弯曲地形成的天线导线,所述角部以与所述角部的两侧连接的边部形成钝角的方式折弯地形成。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 角部 天线结构体 等离子体天线 本实用新型 高频电力 天线导线 结构体 边部 钝角 折弯 施加 室内 | ||
【主权项】:
1.一种用于产生等离子体的天线结构体,所述用于产生等离子体的天线结构体被施加高频电力并在处理室内生成等离子体,其特征在于,包含以形成至少一个角部的方式而弯曲地形成的天线导线,所述角部以与所述角部的两侧连接的边部形成钝角的方式折弯地形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于INVENIA有限公司,未经INVENIA有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721744926.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体处理腔室和等离子体处理腔室
- 下一篇:一种分幅变像管及分幅相机