[实用新型]一种多频域的超声波接近传感器

摘要

本实用新型涉及超声波接近传感器技术领域，具体涉及一种多频域的超声波接近传感器，包括外壳，外壳内部镂空形成腔体，腔体底部通过引线与第五双压电陶瓷晶片连接，第五双压电陶瓷晶片正上方有一圆锥形振子，第五双压电陶瓷晶片左端为第一双压电陶瓷晶片，第五双压电陶瓷晶片右端为第二双压电陶瓷晶片，第五双压电陶瓷晶片后端为第三双压电陶瓷晶片，第五双压电陶瓷晶片前端为第四双压电陶瓷晶片，四个双压电陶瓷晶片在各自转杆的转动下改变第五双压电陶瓷晶片的厚度，本实用新型改善了传统超声波接近传感器频率固定的问题，通过改变双压电陶瓷晶片的厚度改变振子振动的频率，从而实现超声波接近传感器多频域的效果。

主权项

1.一种多频域的超声波接近传感器，其特征在于，包括外壳，所述外壳内部镂空形成腔体，所述腔体底部通过引线与第五双压电陶瓷晶片连接，所述第五双压电陶瓷晶片正上方有一圆锥形振子，所述圆锥形振子上有四个刻度，可在所述第五双压电陶瓷晶片上形成一定频率的振动，所述第五双压电陶瓷晶片左端为第一双压电陶瓷晶片，所述第五双压电陶瓷晶片右端为第二双压电陶瓷晶片，所述第五双压电陶瓷晶片后端为第三双压电陶瓷晶片，所述第五双压电陶瓷晶片前端为第四双压电陶瓷晶片，所述四个双压电陶瓷晶片在各自转杆的转动下可以改变所述第五双压电陶瓷晶片的厚度，所述外壳外缘有一旋钮，所述旋钮上有四个刻度，依次对应着除了所述第五双压电陶瓷晶片的四个双压电陶瓷晶片，用于调节所述圆锥形振子的高度，所述外壳顶端有一屏蔽栅，所述屏蔽栅可减少能量损失。