[实用新型]一种多频域的超声波接近传感器有效
申请号: | 201721652006.2 | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN207751494U | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 田云飞 | 申请(专利权)人: | 锐德热力设备(东莞)有限公司 |
主分类号: | G01D5/48 | 分类号: | G01D5/48 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 王科 |
地址: | 523000 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双压电陶瓷 晶片 接近传感器 超声波 多频域 本实用新型 腔体 振子 传统超声波 晶片连接 频率固定 外壳内部 镂空 转杆 左端 转动 | ||
1.一种多频域的超声波接近传感器,其特征在于,包括外壳,所述外壳内部镂空形成腔体,所述腔体底部通过引线与第五双压电陶瓷晶片连接,所述第五双压电陶瓷晶片正上方有一圆锥形振子,所述圆锥形振子上有四个刻度,可在所述第五双压电陶瓷晶片上形成一定频率的振动,所述第五双压电陶瓷晶片左端为第一双压电陶瓷晶片,所述第五双压电陶瓷晶片右端为第二双压电陶瓷晶片,所述第五双压电陶瓷晶片后端为第三双压电陶瓷晶片,所述第五双压电陶瓷晶片前端为第四双压电陶瓷晶片,所述四个双压电陶瓷晶片在各自转杆的转动下可以改变所述第五双压电陶瓷晶片的厚度,所述外壳外缘有一旋钮,所述旋钮上有四个刻度,依次对应着除了所述第五双压电陶瓷晶片的四个双压电陶瓷晶片,用于调节所述圆锥形振子的高度,所述外壳顶端有一屏蔽栅,所述屏蔽栅可减少能量损失。
2.根据权利要求1所述的一种多频域的超声波接近传感器,其特征在于:所述五个双压电陶瓷晶片是金属振动板和双晶体片通过胶水粘结而成的。
3.根据权利要求1所述的一种多频域的超声波接近传感器,其特征在于:所述五个双压电陶瓷晶片的高度为第四双压电陶瓷晶片最高,第三双压电陶瓷晶片第二高,第二双压电陶瓷晶片第三高,第一双压电陶瓷晶片第四高,第五双压电陶瓷晶片最低。
4.根据权利要求1所述的一种多频域的超声波接近传感器,其特征在于:所述五个双压电陶瓷晶片在同一竖直面上时,其表面互相接触,没有空隙。
5.根据权利要求1所述的一种多频域的超声波接近传感器,其特征在于:所述旋钮和所述圆锥形振子通过绳子连接。
6.根据权利要求1所述的一种多频域的超声波接近传感器,其特征在于:所述四个转杆产生的运动为偏心运动。
7.根据权利要求1所述的一种多频域的超声波接近传感器,其特征在于:所述四个转杆分为固定端和自由端两部分。
8.根据权利要求5所述的一种多频域的超声波接近传感器,其特征在于:所述四个转杆的固定端将其对应的所述四个双压电陶瓷晶片与所述外壳底部连接。
9.根据权利要求1所述的一种多频域的超声波接近传感器,其特征在于:所述屏蔽栅通过胶水粘结在所述外壳的顶部。
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