[实用新型]一种多频域的超声波接近传感器

说明书

本实用新型涉及超声波接近传感器技术领域，具体涉及一种多频域的超声波接近传感器，包括外壳，外壳内部镂空形成腔体，腔体底部通过引线与第五双压电陶瓷晶片连接，第五双压电陶瓷晶片正上方有一圆锥形振子，第五双压电陶瓷晶片左端为第一双压电陶瓷晶片，第五双压电陶瓷晶片右端为第二双压电陶瓷晶片，第五双压电陶瓷晶片后端为第三双压电陶瓷晶片，第五双压电陶瓷晶片前端为第四双压电陶瓷晶片，四个双压电陶瓷晶片在各自转杆的转动下改变第五双压电陶瓷晶片的厚度，本实用新型改善了传统超声波接近传感器频率固定的问题，通过改变双压电陶瓷晶片的厚度改变振子振动的频率，从而实现超声波接近传感器多频域的效果。

技术领域

本实用新型涉及超声波接近传感器技术领域，具体涉及一种多频域的超声波接近传感器。

背景技术

目前，公知的超声波接近传感器的频率都相当固定，市面上几乎不存在测量频率范围广的超声波接近传感器，一个超声波接近传感器只能用于一很小频率范围的工作环境中，不仅不便于复杂性的工作，而且还与目前测量仪器强调适用性的原则相背，这是超声波接近传感器的一大缺点，目前市面上缺乏一种制造简单又适用于多频域的超声波接近传感器。

发明内容

为解决上述存在的问题，本实用新型提供一种多频域的超声波接近传感器，通过改变双压电陶瓷晶片的厚度来改变振子振动的频率，从而实现超声波接近传感器多频域的效果。

一种多频域的超声波接近传感器，包括外壳，所述外壳内部镂空形成腔体，所述腔体底部通过引线与第五双压电陶瓷晶片连接，所述第五双压电陶瓷晶片正上方有一圆锥形振子，所述圆锥形振子可在所述第五双压电陶瓷晶片上形成一定频率的振动，所述第五双压电陶瓷晶片左端为第一双压电陶瓷晶片，所述第五双压电陶瓷晶片右端为第二双压电陶瓷晶片，所述第五双压电陶瓷晶片后端为第三双压电陶瓷晶片，所述第五双压电陶瓷晶片前端为第四双压电陶瓷晶片，所述四个双压电陶瓷晶片在各自转杆的转动下可以改变所述第五双压电陶瓷晶片的厚度，所述外壳外缘有一旋钮，所述旋钮上有四个刻度，依次对应着除了所述第五双压电陶瓷晶片的四个双压电陶瓷晶片，用于调节所述圆锥形振子的高度，所述外壳顶端有一屏蔽栅，所述屏蔽栅可减少能量损失。

优选地，所述五个双压电陶瓷晶片是金属振动板和双晶体片通过胶水粘结而成的。

优选地，所述五个双压电陶瓷晶片的高度为第四双压电陶瓷晶片最高，第三双压电陶瓷晶片第二高，第二双压电陶瓷晶片第三高，第一双压电陶瓷晶片第四高，第五双压电陶瓷晶片最低。

优选地，所述五个双压电陶瓷晶片在同一竖直面上时，其表面互相接触，没有空隙。

优选地，所述旋钮和所述圆锥形振子通过绳子连接。

优选地，所述四个转杆产生的运动为偏心运动。

优选地，所述四个转杆分为固定端和自由端两部分。

优选地，所述四个转杆的固定端将其对应的所述四个双压电陶瓷晶片与所述外壳底部连接。

优选地，所述屏蔽栅通过胶水粘结在所述外壳的顶部。

本实用新型的有益效果：通过调节旋钮改变圆锥形振子的高度，再配合四个旋杆带动各自双压电陶瓷晶片的转动，顺次叠放或倒序离开第五双压电陶瓷晶片表面，从而改变第五双压电陶瓷晶片的厚度，以此可以调节圆锥形振子在第五双压电陶瓷晶片上振动的频率，不仅操作方便，制作简单，与传统的超声波接近传感器相比，还能实现超声波接近传感器多频域的效果，超声波接近传感器的频率应用范围越广，便于生产工作。

附图说明

图1是本实用新型一种多频域的超声波接近传感器的双压电陶瓷晶片位置图。

图2是本实用新型一种多频域的超声波接近传感器的外壳图。

图3是本实用新型一种多频域的超声波接近传感器的屏蔽栅图。