[实用新型]溅射镀膜系统有效
| 申请号： | 201721569972.8 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN207512255U | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张睿智;唐健;王迎;余辉;陆张武;徐征驰;张启斌 | 申请（专利权）人： | 浙江水晶光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 318000 浙江省台州市椒*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种溅射镀膜系统，涉及镀膜设备技术领域，包括溅射镀膜机，溅射镀膜机设置有氢气入口，氢气入口连通有氢气发生器，缓解了在制备氢化硅薄膜的过程中，采用高压氢气钢瓶或氢气与其它气体混合的钢瓶与溅射镀膜机相连接，高压氢气钢瓶存在严重的安全隐患，而氢气与其它气体混合的钢瓶内的氢气纯度低，会导致氢化硅薄膜的折射率低，稳定性差的技术问题，达到了通过采用氢气发生器与氢气入口相连通，直接通过氢气发生器制取高纯氢气供溅射镀膜使用，消除了安全隐患，同时避免了杂质气体的引入，保证了氢气的高纯度，为氢化硅薄膜的折射率和稳定性提供了保障。 | ||
| 搜索关键词： | 钢瓶 溅射镀膜机 氢气发生器 溅射镀膜 氢气入口 氢气 氢化硅薄膜 安全隐患 高压氢气 气体混合 折射率 本实用新型 镀膜设备 高纯氢气 氢气纯度 杂质气体 制备氢化 高纯度 硅薄膜 制取 连通 引入 缓解 保证 | ||
【主权项】：
1.一种溅射镀膜系统，其特征在于，包括溅射镀膜机，所述溅射镀膜机设置有氢气入口，所述氢气入口连通有氢气发生器。
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