[实用新型]一种薄膜晶体管及显示器面板有效
申请号: | 201721522557.7 | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN207517701U | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 李佳鹏;王文;郭海成;陆磊 | 申请(专利权)人: | 研茂科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳青年人专利商标代理有限公司 44350 | 代理人: | 吴桂华 |
地址: | 中国香港铜锣湾京*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | 一种薄膜晶体管,包括:衬底、设置在所述衬底上的栅极叠层和设置在该栅极叠层上的由金属氧化物构成的有源岛,所述有源岛部分区域上覆盖有电极,所述电极与所述有源岛之间还具有绝缘层,所述有源岛的边界的铅垂面自对准于由所述电极及所述绝缘层构建的总投影面积的边界的铅垂面,该有源岛在电极覆盖下的区域分别为源区、漏区,非电极覆盖下的区域为沟道区。本实用新型还涉及具有上述薄膜晶体管的显示器面板。上述薄膜晶体管及具有上述薄膜晶体管的显示器面板既减少了制备晶体管所需的掩膜光刻步骤,从而大大降低了制备成本,又具有更小的器件尺寸,更低的源漏寄生电阻、更优良的开态、关态性能和更强的器件可靠性,更符合显示器面板的发展趋势。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 源岛 显示器面板 电极 绝缘层 电极覆盖 栅极叠层 铅垂面 衬底 制备 本实用新型 金属氧化物 器件可靠性 寄生电阻 沟道区 自对准 晶体管 构建 关态 光刻 开态 漏区 掩膜 源漏 源区 投影 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其特征在于包括:衬底;栅极叠层,设置于所述衬底之上,包括栅极电极和覆盖在该栅极电极上的栅极绝缘层;有源岛,由金属氧化物构成,且通过图形化有源层而形成,设置于所述栅极叠层之上,分为源区、漏区和沟道区;电极,覆盖于所述有源岛部分区域,所述电极的厚度大于含氧元素的物质在该电极中的扩散长度;绝缘层,位于所述电极与所述有源岛之间,该绝缘层在非所述电极覆盖下的部分为第一绝缘层,所述第一绝缘层的厚度小于所述含氧元素的物质在该第一绝缘层中的扩散长度;所述有源岛是通过图形化所述有源层而形成的,位于由所述电极及所述绝缘层构建的总投影面积之内,且所述有源岛的边界的铅垂面自对准于由所述电极及所述绝缘层构建的总投影面积的边界的铅垂面;所述有源岛在所述电极覆盖下的区域为所述的源区和所述的漏区,非所述电极覆盖下的区域为所述的沟道区;所述源区、所述漏区与所述沟道区相互连接,且分别位于所述沟道区的两端;所述源区与所述沟道区之间的连接面、所述漏区与所述沟道区之间的连接面,该两个连接面自对准于所述电极在所述有源岛投影面积之内的边界的铅垂面;所述沟道区的电阻率大于所述源区、所述漏区的电阻率。
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