[实用新型]一种薄膜晶体管及显示器面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于包括：

衬底；

栅极叠层，设置于所述衬底之上，包括栅极电极和覆盖在该栅极电极上的栅极绝缘层；

有源岛，由金属氧化物构成，且通过图形化有源层而形成，设置于所述栅极叠层之上，分为源区、漏区和沟道区；

电极，覆盖于所述有源岛部分区域，所述电极的厚度大于含氧元素的物质在该电极中的扩散长度；

绝缘层，位于所述电极与所述有源岛之间，该绝缘层在非所述电极覆盖下的部分为第一绝缘层，所述第一绝缘层的厚度小于所述含氧元素的物质在该第一绝缘层中的扩散长度；

所述有源岛是通过图形化所述有源层而形成的，位于由所述电极及所述绝缘层构建的总投影面积之内，且所述有源岛的边界的铅垂面自对准于由所述电极及所述绝缘层构建的总投影面积的边界的铅垂面；所述有源岛在所述电极覆盖下的区域为所述的源区和所述的漏区，非所述电极覆盖下的区域为所述的沟道区；所述源区、所述漏区与所述沟道区相互连接，且分别位于所述沟道区的两端；所述源区与所述沟道区之间的连接面、所述漏区与所述沟道区之间的连接面，该两个连接面自对准于所述电极在所述有源岛投影面积之内的边界的铅垂面；所述沟道区的电阻率大于所述源区、所述漏区的电阻率。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源岛的边界的铅垂面自对准于由所述电极及所述绝缘层构建的总投影面积的边界的铅垂面，且与相应铅垂面的间距小于所述有源岛厚度的100倍。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源区与所述沟道区之间的连接面、所述漏区与所述沟道区之间的连接面，该两个连接面自对准于所述电极在所述有源岛投影面积之内的边界的铅垂面，且与相应铅垂面的间距小于所述有源岛厚度的100倍。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区与所述源区、所述漏区的电阻率比值大于1000倍。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为10至3000纳米。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述电极的厚度为所述含氧元素的物质在所述电极中扩散长度的2至100倍之间。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述电极的厚度为10至3000纳米。

8.一种显示器面板，包括多组显示模块，其特征在于，所述显示模块包含权利要求1至7任一项所述薄膜晶体管。