[实用新型]一种LPCVD工艺腔的加热装置有效
| 申请号： | 201721340570.0 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN207418861U | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 袁世成 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陈丹;苏蕾 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种LPCVD工艺腔的加热装置。所述LPCVD工艺腔的加热装置包括：加热板，所述加热板的上表面上设置有工作区和第一加热区，所述工作区设置成放置待加热基板，所述第一加热区设置成围绕待加热基板，所述加热板中设置有第二加热区，所述第二加热区被分割为多个加热区域，每个加热区域设置成加热功率能够被单独调节，其中设置成对应所述待加热基板的凸起部分的加热区域的加热功率大于设置成对应所述待加热基板的凹陷部分的加热区域的加热功率，所述第一加热区和所述第二加热区的每个加热区域中分别设置有控温装置。本实用新型的LPCVD工艺腔的加热装置使得基板的加热均匀性得到了改善，提高了沉积膜层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 加热区域 加热基板 加热装置 工艺腔 第二加热区 第一加热区 加热功率 加热板 本实用新型 加热均匀性 沉积膜层 单独调节 控温装置 上表面 凹陷 基板 凸起 分割 | ||
【主权项】：
1.一种LPCVD工艺腔的加热装置，其特征在于，所述加热装置包括：加热板，所述加热板的上表面上设置有工作区和第一加热区，所述工作区设置成放置待加热基板，所述第一加热区设置成围绕待加热基板，所述加热板中设置有第二加热区，所述第二加热区被分割为多个加热区域，每个加热区域设置成加热功率能够被单独调节，其中设置成对应所述待加热基板的凸起部分的加热区域的加热功率大于设置成对应所述待加热基板的凹陷部分的加热区域的加热功率，所述第一加热区和所述第二加热区的每个加热区域中分别设置有控温装置。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
