[实用新型]一种LPCVD工艺腔的加热装置

权利要求书

1.一种LPCVD工艺腔的加热装置，其特征在于，所述加热装置包括：

加热板，所述加热板的上表面上设置有工作区和第一加热区，所述工作区设置成放置待加热基板，所述第一加热区设置成围绕待加热基板，所述加热板中设置有第二加热区，所述第二加热区被分割为多个加热区域，每个加热区域设置成加热功率能够被单独调节，其中设置成对应所述待加热基板的凸起部分的加热区域的加热功率大于设置成对应所述待加热基板的凹陷部分的加热区域的加热功率，所述第一加热区和所述第二加热区的每个加热区域中分别设置有控温装置。

2.根据权利要求1所述的LPCVD工艺腔的加热装置，其特征在于，所述加热板包括上板和下板，所述上板是导热板，所述第二加热区位于所述上板与所述下板之间。

3.根据权利要求2所述的LPCVD工艺腔的加热装置，其特征在于，所述上板的下表面和所述下板的上表面上设置有安装槽，所述加热板中的第二加热区的加热丝设置在由所述上板的下表面的安装槽和所述下板的上表面的安装槽形成的空间中；

或者，所述上板的下表面或所述下板的上表面上设置有安装槽，所述加热板中的第二加热区的加热丝设置在所述安装槽中。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的LPCVD工艺腔的加热装置，其特征在于，所述第二加热区被分割为四个加热区域，分别为加热区域A、加热区域B、加热区域C和加热区域D，其中所述加热区域A和所述加热区域D分别设置成对应所述待加热基板的凸起部分，所述加热区域B和所述加热区域C分别设置成对应所述待加热基板的凹陷部分，所述加热区域B围绕在所述加热区域A周围，所述加热区域C围绕在所述加热区域D周围。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的LPCVD工艺腔的加热装置，其特征在于，所述加热板呈“凸”字型，所述第一加热区设置在环绕“凸”字型的凸起的环形部分上。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的LPCVD工艺腔的加热装置，其特征在于，所述加热装置还包括屏蔽罩，所述屏蔽罩罩住所述加热板的侧面和所述加热板的上表面的除工作区之外的部分。

7.根据权利要求6所述的LPCVD工艺腔的加热装置，其特征在于，所述屏蔽罩包括上屏蔽板、下屏蔽板和屏蔽板固定件，所述上屏蔽板覆盖所述加热板的上表面的除工作区之外的部分并通过支撑条支撑在所述第一加热区上方，所述下屏蔽板覆盖所述加热板的侧面并固定在所述屏蔽板固定件上，所述上屏蔽板固定连接在所述下屏蔽板上，所述屏蔽板固定件设置成固定在真空腔室中。

8.根据权利要求6所述的LPCVD工艺腔的加热装置，其特征在于，所述加热装置还包括边框条，所述边框条密封所述工作区与所述屏蔽罩之间的缝隙。

9.根据权利要求1-3中任一项所述的LPCVD工艺腔的加热装置，其特征在于，所述加热装置还包括支撑柱，所述加热板固定在所述支撑柱上，并且所述加热板与所述支撑柱之间设置有隔热件。

10.根据权利要求6所述的LPCVD工艺腔的加热装置，其特征在于，所述屏蔽罩由不锈钢材料制成。