[实用新型]一种LPCVD工艺腔的加热装置

说明书

本实用新型公开了一种LPCVD工艺腔的加热装置。所述LPCVD工艺腔的加热装置包括：加热板，所述加热板的上表面上设置有工作区和第一加热区，所述工作区设置成放置待加热基板，所述第一加热区设置成围绕待加热基板，所述加热板中设置有第二加热区，所述第二加热区被分割为多个加热区域，每个加热区域设置成加热功率能够被单独调节，其中设置成对应所述待加热基板的凸起部分的加热区域的加热功率大于设置成对应所述待加热基板的凹陷部分的加热区域的加热功率，所述第一加热区和所述第二加热区的每个加热区域中分别设置有控温装置。本实用新型的LPCVD工艺腔的加热装置使得基板的加热均匀性得到了改善，提高了沉积膜层的质量。

技术领域

本实用新型涉及但不限于一种LPCVD工艺腔的加热装置。

背景技术

目前光伏产业的发展，关键取决于降低太阳能电池生产成本的潜力。铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点，光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳能电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。此外，该电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对外观有较高要求的场所的理想选择，如大型建筑物的玻璃幕墙等，在现代化高层建筑等领域有很大市场。

CIGS薄膜太阳能电池的基板为覆有Mo层的钠钙玻璃，制备工艺为：(1) 采用直流磁控溅射法沉积Mo钼作为支持层；(2)采用三步共蒸法制备CIGS 薄膜；(3)采用水浴法沉积CdS薄膜；(4)采用LPCVD制备BZO薄膜； (5)采用电子束蒸发制备Ni/Al电极；(6)上面覆盖一层增透膜MgF2。其中步骤(4)中的LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)是指低压化学气相沉积，是在27～270Pa的反应压力下利用气态物质通过化学反应在基片表面形成固态薄膜的一种成膜技术，广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉积。

一般LPCVD的工艺流程为：装片——进片——对反应室抽真空——检查设备是否正常——用N2吹扫并加热——再抽真空——保持压力稳定后开始沉积——关闭所有工艺气体，重新抽真空——回冲N2到常压——出炉。待反应室达到设定温度后开始沉积，并且在沉积过程中维持该设定温度。因此，加热是否均匀对沉积膜层的质量有较大影响。

实用新型内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本实用新型提供了一种LPCVD工艺腔的加热装置，该加热装置能够均匀地加热大尺寸的玻璃基板，提高沉积膜层的质量。

具体地，本实用新型提供了一种LPCVD工艺腔的加热装置。

本实用新型提供的LPCVD工艺腔的加热装置，包括：

加热板，所述加热板的上表面上设置有工作区和第一加热区，所述工作区设置成放置待加热基板，所述第一加热区设置成围绕待加热基板，所述加热板中设置有第二加热区，所述第二加热区被分割为多个加热区域，每个加热区域设置成加热功率能够被单独调节，其中设置成对应所述待加热基板的凸起部分的加热区域的加热功率大于设置成对应所述待加热基板的凹陷部分的加热区域的加热功率，所述第一加热区和所述第二加热区的每个加热区域中分别设置有控温装置。

在一些实施方式中，所述控温装置可以为热电偶。

在一些实施方式中，设置成对应所述待加热基板的凸起部分的所述加热区域的加热丝可以呈S形均匀布置。

可选地，设置成对应所述待加热基板的凸起部分的所述加热区域的加热丝沿加热板的宽度方向呈S形均匀布置。

在一些实施方式中，所述加热板可以包括上板和下板，所述上板是导热板，所述第二加热区位于所述上板与所述下板之间。