[实用新型]一种大存量硅片上片机构有效
| 申请号： | 201721172130.9 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN207752989U | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 林佳继;朱太荣;庞爱锁;孟科;伊凡·裴力林 | 申请（专利权）人： | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 彭西洋;苏芳 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种大存量硅片上片机构，包括第一存片装置、第二存片装置、旋转上片装置、第一水平传送装置、第二水平传送装置、输送带装置；所述第一存片装置、第二存片装置用于存放待上片的硅片，并分别将存放的硅片依次放至第一水平传送装置、第二水平传送装置；所述第一水平传送装置、第二水平传送装置用于将硅片移送至旋转上片装置下方；所述旋转上片装置用于将第一水平传送装置、第二水平传送装置上的硅片取放至输送带装置的一端；所述输送带装置将旋转上片装置放入其一端的硅片传输至其另一端的工位。本实用新型具有硅片存量大、硅片间摩擦小、硅片表面损伤小、料盒使用量少等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 水平传送装置 硅片 上片装置 片装置 输送带装置 本实用新型 上片机构 硅片表面损伤 硅片传输 放入 工位 料盒 取放 上片 摩擦 | ||
【主权项】：
1.一种大存量硅片上片机构，其特征在于，包括第一存片装置、第二存片装置、旋转上片装置、第一水平传送装置、第二水平传送装置、输送带装置；所述旋转上片装置安装于输送带装置上方；所述输送带装置的一端一侧设置第一水平传送装置、第一存片装置，另一侧设置第二水平传送装置、第二存片装置；所述第一存片装置、第二存片装置用于存放待上片的硅片，并分别将存放的硅片依次放至第一水平传送装置、第二水平传送装置；所述第一水平传送装置、第二水平传送装置用于将硅片移送至旋转上片装置下方；所述旋转上片装置用于将第一水平传送装置、第二水平传送装置上的硅片取放至输送带装置的一端；所述输送带装置将旋转上片装置放入其一端的硅片传输至其另一端的工位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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