[实用新型]一种碳化硅MOS管有效
| 申请号： | 201721005486.3 | 申请日： | 2017-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN207116438U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 薛涛;关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种碳化硅MOS管，属于半导体制造技术领域。在漂移区的上方依次形成基区、源区以及顶层氧化层（2），设置有沟槽（3），在沟槽（3）内填充多晶硅并形成MOS结构，其特征在于所述的基区和源区连接相邻的沟槽（3），在相邻的沟槽（3）之间开设有接触孔（4），接触孔（4）自上而下穿过顶层氧化层（2）、源区并进入基区，接触孔（4）中填充有导体将相应位置的源区及基区连接，在漂移区中设置有多个半导体类型与漂移区相反的保护区，保护区位于沟槽（3）下部的漂移区中。在本碳化硅MOS管中，在MOS管外加高压时保护区与其周围的漂移区之间形成PN结形成空乏区，从而大大降低了本碳化硅MOS管连接外部高电压时的漏流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mos | ||
【主权项】：
一种碳化硅MOS管，包括碳化硅类型的衬底以及衬底上方的漂移区，在漂移区的上方依次形成基区、源区以及顶层氧化层（2），设置有穿过源区、基区并进入漂移区的沟槽（3），在沟槽（3）内填充多晶硅并形成MOS结构，其特征在于：所述的基区和源区连接相邻的沟槽（3），在相邻的沟槽（3）之间开设有接触孔（4），接触孔（4）自上而下穿过顶层氧化层（2）、源区并进入基区，接触孔（4）中填充有导体将相应位置的源区及基区连接，在漂移区中设置有多个半导体类型与漂移区相反的保护区，保护区位于沟槽（3）下部。
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