[实用新型]一种碳化硅MOS管

权利要求书

1.一种碳化硅MOS管，包括碳化硅类型的衬底以及衬底上方的漂移区，在漂移区的上方依次形成基区、源区以及顶层氧化层（2），设置有穿过源区、基区并进入漂移区的沟槽（3），在沟槽（3）内填充多晶硅并形成MOS结构，其特征在于：所述的基区和源区连接相邻的沟槽（3），在相邻的沟槽（3）之间开设有接触孔（4），接触孔（4）自上而下穿过顶层氧化层（2）、源区并进入基区，接触孔（4）中填充有导体将相应位置的源区及基区连接，在漂移区中设置有多个半导体类型与漂移区相反的保护区，保护区位于沟槽（3）下部。

2.根据权利要求1所述的碳化硅MOS管，其特征在于：在所述顶层氧化层（2）的上方设置有顶层金属层（1）。

3.根据权利要求1所述的碳化硅MOS管，其特征在于：在所述衬底的下方设置有底层金属层（11）。

4.根据权利要求1所述的碳化硅MOS管，其特征在于：所述的衬底为N+型衬底（10），所述的漂移区为N型漂移区（9），所述的基区为P型基区（8），所述的源区为N+型源区（5）。

5.根据权利要求1所述的碳化硅MOS管，其特征在于：在所述沟槽（3）中填充有多晶硅（6）。

6.根据权利要求1所述的碳化硅MOS管，其特征在于：所述的沟槽（3）进入漂移区的深度为0.1~0.5μm。

7.根据权利要求1所述的碳化硅MOS管，其特征在于：所述的接触孔（4）进入基区的深度为0.1~0.5μm。

8.根据权利要求1所述的碳化硅MOS管，其特征在于：所述的保护区与沟槽（3）上下一一对应。