[实用新型]一种可连续生长碳化硅晶体的生长炉有效
| 申请号： | 201720786652.1 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN207109145U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 宗艳民;李加林 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B35/00 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型属于晶体生长技术领域，具体涉及一种可连续生长碳化硅晶体的生长炉，包括依次相连的装料室、生长室和冷却室；装料室和生长室之间设有挡板I，生长室和冷却室之间设有挡板II；装料室、生长室和冷却室上均设有进气管I和真空系统；冷却室上的进气管I与出气管I通过管路I连通且管路I上设有冷却装置；装料室侧壁上设有贯穿侧壁的装料装置；所述的装料装置包括进料口和出料口，进料口和出料口通过管路II连接，管路II贯穿装料室侧壁；进料口位于装料室内坩埚上方；管路II内设有螺旋搅拌；管路II外部设有热风腔。采用本实用新型可以在晶体生长过程中顺畅供料，并且高效持续的生长出高质量晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连续 生长 碳化硅 晶体 | ||
【主权项】：
一种可连续生长碳化硅晶体的生长炉，其特征在于：生长炉包括依次相连的装料室(1)、生长室(2)和冷却室(3)；装料室(1)和生长室(2)之间设有挡板I(4)，生长室(2)和冷却室(3)之间设有挡板II(5)；装料室(1)、生长室(2)和冷却室(3)上均设有进气管I(6)和真空系统(7)；冷却室(3)上的进气管I(6)与出气管I(9)通过管路I(10)连通且管路I(10)上设有冷却装置(11)；装料室(1)侧壁上设有贯穿侧壁的装料装置；所述的装料装置包括进料口(12)和出料口(13)，进料口(12)和出料口(13)通过管路II(14)连接，管路II(14)贯穿装料室(1)侧壁；进料口(12)位于装料室(1)内，坩埚(15)上方；管路II(14)内设有螺旋搅拌(16)；管路II(14)外部设有热风腔(17)。
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